ドデシル不動態化ケイ素ナノ粒子の熱蒸着とX線光安定性

COXON Paul R; ASHBY Shane P; FROGLEY Mark D; CHAO Yimin

文献

J-GLOBAL ID：201202265716087027 整理番号：12A1421541

ドデシル不動態化ケイ素ナノ粒子の熱蒸着とX線光安定性

Thermal evaporation and x-ray photostability of dodecyl-passivated silicon nanoparticles

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資料名：
巻： 45 号： 35 ページ： 355303,1-7 発行年： 2012年09月05日
JST資料番号： B0092B ISSN： 0022-3727 CODEN： JPAPBE 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

この研究では,筆者らは低温での熱蒸着によってドデシルキャップドケイ素ナノ粒子(SiNP)膜の最初の膜を合成し,X線光電子照射の延長された期間下でSi2pの発展を調べた。ケイ素X線光電子分光法(XPS)の特徴は240°Cの加熱のもとでの真空状態で材料移動と膜形成の実現可能性を示した。価電子バンドとX線吸収スペクトルは薄膜が主に酸化ケイ素を含むことを示した。しかし,後者の結果は残留Si-Si結合の特徴が維持されていることをしめした。FTIR画像は蒸着物質の島と結合種の分布を初めて示した。延長されたX線照射は,SiNPが照射されたケイ素コアを生じる表面破損を受け,表面酸化が生じることを許す。最大熱蒸着は熱重量分析研究によって示されるように鋭い質量損失を有し,~240°Cで生じる。これらの結果は,そのようなNPが宇宙空間での太陽電池のような高いX線環境に晒される場所での適用に特別な関心を引き付けるであろう。

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電子分光スペクトル , 半導体薄膜

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