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J-GLOBAL ID：201202265802831243   整理番号：12A0996624

ZnOにおける安定な格子間ドーパント-空格子点複合体

Stable interstitial dopant-vacancy complexes in ZnO

著者 (2件)： PUCHALA B. (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA) ,  MORGAN D. (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 85  号： 19  ページ： 195207.1-195207.5  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *酸化亜鉛 ,  *複合欠陥 ,  格子間原子 ,  空格子点 ,  ab initio法 ,  密度汎関数法 ,  *電子相関 ,  近似法
準シソーラス用語： GGA+U ,  LDA ,  一般化勾配近似

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (5件)： ZnO ,  格子 ,  ドーパント ,  空格子点 ,  複合体