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J-GLOBAL ID：201202266041197061   整理番号：12A1310854

リン光有機発光ダイオードのための高Lewis酸性度Geドーパントを添加した透明酸化インジウム膜

Transparent indium oxide films doped with high Lewis acid strength Ge dopant for phosphorescent organic light-emitting diodes

著者 (5件)： KANG Sin-Bi (Kyung Hee Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  LIM Jong-Wook (Kyung Hee Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  LEE Sunghun (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Jang-Joo (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Han-Ki (Kyung Hee Univ., Gyeonggi-do, KOR)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 45  号： 32  ページ： 325102,1-6  発行年： 2012年08月15日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge添加In₂O₃(IGO)膜を,GeO₂とIn₂O₃の同時スパッタリングにより作成した。得られた膜に様々な条件下で熱処理を施し,リン光有機発光ダイオード(POLED)の透明電極として用いるのに相応しい特性を与える条件を調べた。その結果として,最適条件下で得られたIGO膜は,面積当たり14.0Ωという低いシート抵抗を示した。また,このときの光学透過率は86.9%,仕事関数は5.2eVであった。これらの特性値は,従来のSn添加In₂O₃(ITO)膜に匹敵する性能である。この原因として,Ge⁴⁺イオンのLewis酸性度(3.06)が,Sn³⁺の値(1.62)よりも高いために,IGO膜の近赤外域での透明度とキャリア移動度(39.16cm²V^-1s^-1)はITO膜より高くなったと考えられる。また,急速熱処理の際に成長したゾーンIIによって生じたIGO結晶粒の強い優先配向(222)が,キャリア移動度を増大させ,IGO膜の表面モルフォロジーを改善したことも,観測された特性改善の原因である。IGO陽極上に作製したPOLEDの電流密度-電圧-照度曲線を測定した。その結果,このIGO陽極を使ったPOLEDは,その低いシート抵抗と高い光学透過率のために,ITOを用いたPOLEDと同等の性能を示すことが分かった。

シソーラス用語： リン光 ,  発光ダイオード ,  酸性度 ,  *酸化インジウム ,  *透明電極 ,  シート抵抗 ,  透過率 ,  仕事関数 ,  キャリア移動度 ,  スパッタリング ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： 有機発光ダイオード ,  Lewis酸性度

分類 (2件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  無機化合物の可視・紫外スペクトル  (BM08084P)

タイトルに関連する用語 (6件)： リン光 ,  有機発光ダイオード ,  Lewis酸性度 ,  Ge ,  ドーパント ,  酸化インジウム