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J-GLOBAL ID:201202266082850144   整理番号:12A1668407

17.4%の効率を有する世界記録のCu(In,Ga)Se2ベース薄膜サブモジュール

World-record Cu(In,Ga)Se2-based thin-film sub-module with 17.4% efficiency
著者 (6件):
資料名:
巻: 20  号:ページ: 851-854  発行年: 2012年11月 
JST資料番号: W0463A  ISSN: 1062-7995  CODEN: PPHOED  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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Cu(In,Ga)Se2(CIGS)ベースの薄膜サブモジュールについて,外部機関で確認された新たな世界記録効率17.4%を達成した。このデバイスを作製するために用いられたCIGSの共蒸着を含む各薄膜蒸着工程は,費用効果のあるフルサイズモジュール大量生産への拡張性に特別な注意を払いながら最適化された。このことは,例えば,中間的基盤温度と比較的短い蒸着時間の結果としての一見不完全なCIGSのミクロ構造に反映されている。近い将来,16%を超える効率のフルサイズモジュール大量生産が現実的になることが明らかになった。
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分類 (1件):
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太陽電池 

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