三洋電機における薄膜シリコン太陽光発電技術の進歩

AYA Y.; SHINOHARA W.; MATSUMOTO M.; MURATA K.; KUNII T.; NAKAGAWA M.; TERAKAWA A.; TANAKA M.

文献

J-GLOBAL ID：201202266084222639 整理番号：12A0528736

三洋電機における薄膜シリコン太陽光発電技術の進歩

Progress of Thin-Film Silicon Photovoltaic Technologies in SANYO

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資料名：
巻： 20 号： 2 ページ： 166-172 発行年： 2012年03月
JST資料番号： W0463A ISSN： 1062-7995 CODEN： PPHOED 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

アモルファスシリコン/微結晶シリコン(a-Si:H /μc-Si:H)の太陽電池パネルについての報告である。サイズはGen.5.5(1100mm×1400mm)であり,そのμc-Si:Hの製膜速度は2.4nm/sである。11.1%の変換効率(V_OC=161.7 V,I_SC= 1.46 A,FF=72.4%,P_MAX =171 W)が得られる。また,この値は10.0%の安定した効率と同等であることが実験で確認されたと報告している。三洋電機の独自技術として局所プラズマ閉じ込めCVD法や光閉じ込め技術,非真空法による薄膜作成,ソーラーパネルの性能向上と生産技術についての紹介がある。

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太陽エネルギー , 太陽光発電 , 太陽エネルギー利用機器 , 太陽電池

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