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J-GLOBAL ID：201202266105768270   整理番号：12A1499934

水中で窒化ケイ素表面へのListeria monocytogenes高分子電解質ブラシの接着,構造および物理化学的性質に及ぼす増殖のイオン強度の影響

Impact of ionic strength of growth on the physiochemical properties, structure, and adhesion of Listeria monocytogenes polyelectrolyte brushes to a silicon nitride surface in water

著者 (2件)： GORDESLI Fatma Pinar (Gene and Linda Voiland School of Chemical Engineering and Bioengineering, Washington State Univ., Pullman, WA ...) ,  ABU-LAIL Nehal I. (Gene and Linda Voiland School of Chemical Engineering and Bioengineering, Washington State Univ., Pullman, WA ...)
資料名： Journal of Colloid and Interface Science  (Journal of Colloid and Interface Science)
巻： 388  号： 1  ページ： 257-267  発行年： 2012年12月15日 
JST資料番号： C0279A  ISSN： 0021-9797  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ケイ素のモデル表面への病原性Listeria monocytogenes EGDe間の接着エネルギーを,純粋媒質(コントロールとして)および付加したNaClの四種のイオン強度(0.05M,0.1M,0.3Mおよび0.5M NaClのIS)の媒質における細胞増殖に対して水中での原子間力顕微鏡(AFM)を用いて定量化した。L.monocytogenes EGDe表面ブラシの物理化学的性質は,窒化ケイ素表面への微生物の接着に及ぼす強い影響もつことであった。0.1M付加NaClの媒質中で増殖した細胞に対して,細菌の表面高分子電解質ブラシの接着エネルギー,物理化学的性質および構造における変化を観測した。その結果,0.1Mでの細胞増殖に対するLiftshitz-van der Waals 引力によって部分的に均衡のとれた最も高い遠距離静電反発が,DLVO理論のソフト粒子分析およびAFMによって測定したより低い接着によって予測されたこの細胞に対する最も高いエネルギー障壁の原因であることがわかった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *リステリア菌 ,  DLVO理論 ,  エネルギー ,  表面電位 ,  膜電位 ,  原子間力顕微鏡 ,  イオン強度 ,  *細胞増殖 ,  高分子電解質 ,  接触角 ,  移動度 ,  塩化ナトリウム ,  添加物効果
準シソーラス用語： Donnan電位 ,  *Listeria monocytogenes ,  接着エネルギー ,  電気泳動移動度

分類 (2件)： 微生物・ウイルス学研究法一般  (EG02010V) ,  固-液界面  (CB12050B)

タイトルに関連する用語 (8件)： 水中 ,  窒化ケイ素 ,  Listeria ,  高分子電解質 ,  ブラシ ,  物理化学的性質 ,  増殖 ,  イオン強度