文献

J-GLOBAL ID：201202266140307901   整理番号：12A1668627

確率共鳴を使ってナノワイヤトランジスタを介して雑音中に埋込まれた信号の検出

Detecting signals buried in noise via nanowire transistors using stochastic resonance

著者 (2件)： NISHIGUCHI Katsuhiko (NTT Basic Res. Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corp., 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa ...) ,  FUJIWARA Akira (NTT Basic Res. Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corp., 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 19  ページ： 193108-193108-4  発行年： 2012年11月05日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電界効果トランジスタ(FET)を使って,弱い信号を検出する雑音の利点を利用した確率共鳴(SR)を実証した。ナノワイヤチャネルから成るFETの構造は,電流特性が強い非線形性を見せることができ,この非線形性が熱的限界と動的双安定性を克服し,いずれもSR効果を増強し,雑音から雑音の輪郭が明らかになる。さらに,動的双安定性はSR効果が,多数のFETに共通の雑音を添加することによって増強できる。このような特異な特性が得られるFETは,実際に応用するSRを利用する道を開く。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 共鳴 ,  ナノワイヤ ,  FET【トランジスタ】 ,  *信号検出 ,  双安定性 ,  電流電圧特性 ,  MOSFET ,  非線形性 ,  ヒステリシス ,  *雑音
準シソーラス用語： *確率共鳴 ,  *ナノワイヤ電界効果トランジスタ

分類 (2件)： 信号理論  (ND02020G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 確率共鳴 ,  ナノワイヤトランジスタ ,  雑音