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J-GLOBAL ID：201202266160933485   整理番号：12A1514168

MgドープInAlN膜のキャリヤ輸送特性

Carrier transport properties of Mg-doped InAlN films

著者 (7件)： KIM S. (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  KIM H. J. (Georgia Inst. Technol., Georgia, USA) ,  CHOI S. (Georgia Inst. Technol., Georgia, USA) ,  LOCHNER Z. (Georgia Inst. Technol., Georgia, USA) ,  RYOU J.-H. (Georgia Inst. Technol., Georgia, USA) ,  DUPUIS R. D. (Georgia Inst. Technol., Georgia, USA) ,  KIM H. (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 48  号： 20  ページ： 1306-1308  発行年： 2012年09月27日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,InAlN膜は,高効率のGaN系電子および光電子デバイスの作製を可能にするユニークな構造的,物理的および光学的特性により広く研究されている。本レターでは,伝送線モデルを用いて,100nm厚MgドープInAlN膜のキャリヤ輸送特性を調べた。InAlN:Mg膜の電気抵抗は7400Ωcmで,半絶縁体を示した。温度依存する電流-電圧測定は,支配的なキャリヤ輸送は深いレベルの欠陥状態を通してのホッピング伝導によるものであることを明らかにした。金属コンタクト/InAlN;Mg界面でのキャリヤ輸送は価電子帯の1.28eV上に位置した深いレベル状態を通してのホッピング伝導の観点から説明できる。

シソーラス用語： *マグネシウム ,  *ドーピング ,  窒化ガリウム ,  *半導体薄膜 ,  アルミニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  窒化物 ,  光電素子 ,  膜厚 ,  *キャリア移動度 ,  電流電圧特性 ,  ホッピング伝導 ,  温度依存性 ,  価電子バンド ,  深い準位 ,  電磁場解析 ,  電気的性質 ,  電気抵抗率
準シソーラス用語： TLM法 ,  半絶縁性

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Mg ,  ドープ ,  InAlN ,  キャリヤ ,  輸送特性