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J-GLOBAL ID：201202266174369396   整理番号：12A1154382

第二種CdSe/CdTe超格子の光ルミネセンス研究

Photoluminescence studies of type-II CdSe/CdTe superlattices

著者 (10件)： LI Jing-jing (Center for Photonics Innovation, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287-5706, USA) ,  YIN Leijun (Center for Photonics Innovation, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287-5706, USA) ,  JOHNSON Shane R. (Center for Photonics Innovation, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287-5706, USA) ,  SKROMME B. J. (School of Electrical, Computer, and Energy Engineering, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287-5706, USA) ,  WANG Shumin (Center for Photonics Innovation, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287-5706, USA) ,  LIU Xinyu (Dep. of Physics, Univ. of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA) ,  DING Ding (Center for Photonics Innovation, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287-5706, USA) ,  NING Cun-zheng (Center for Photonics Innovation, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287-5706, USA) ,  FURDYNA Jacek K. (Dep. of Physics, Univ. of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA) ,  ZHANG Yong-hang (Center for Photonics Innovation, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287-5706, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 6  ページ： 061915-061915-4  発行年： 2012年08月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子ビームエピタクシーによりGaSb基板上へ成長させたCdSe/CdTe第二種超格子を,時間分解と定常状態の光ルミネセンス(PL)分光法により10Kで調べた。時間分解PL測定で観測した188nsの比較的長いキャリア寿命は材料品質が良いことを示す。定常状態PLのピーク位置は,過剰キャリア濃度が高くなると,青方偏移を見せた。Schroedinger方程式とPoisson方程式の自己無撞着解は,この効果は,電子と正孔が空間的に離れている結果生じるバンドベンディングによって説明できることを示す。これはCdSeとCdTeの間の強い第二種バンド端アラインメントを批判的に確かめたものになっている。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *セレン化カドミウム ,  *テルル化カドミウム ,  化合物半導体 ,  *人工超格子 ,  バンド構造 ,  MBE成長 ,  半導体薄膜 ,  時間分解分光法 ,  *光ルミネセンス ,  キャリア寿命 ,  キャリア密度 ,  青方偏移 ,  Schroedinger方程式 ,  Poisson方程式 ,  蛍光減衰 ,  *バンドオフセット

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： CdSe ,  CdTe ,  超格子 ,  光ルミネセンス ,  研究