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J-GLOBAL ID：201202266185770505   整理番号：12A0055657

イットリウムをドープした酸化ハフニウムの強誘電性

Ferroelectricity in yttrium-doped hafnium oxide

著者 (11件)： MUELLER J. (Fraunhofer Center Nanoelectronic Technologies (CNT), 01099 Dresden, DEU) ,  SCHROEDER U. (Namlab gGmbH, 01187 Dresden, DEU) ,  BOESCKE T. S. (Loeberwallgraben 2, 99096 Erfurt, DEU) ,  MUELLER I. (RWTH Aachen, Inst. fuer Werkstoffe der Elektrotechnik, 52074 Aachen, DEU) ,  BOETTGER U. (RWTH Aachen, Inst. fuer Werkstoffe der Elektrotechnik, 52074 Aachen, DEU) ,  WILDE L. (Fraunhofer Center Nanoelectronic Technologies (CNT), 01099 Dresden, DEU) ,  SUNDQVIST J. (Fraunhofer Center Nanoelectronic Technologies (CNT), 01099 Dresden, DEU) ,  LEMBERGER M. (Fraunhofer Inst. for Integrated Systems and Device Technol. (IISB), 91058 Erlangen, DEU) ,  KUECHER P. (Fraunhofer Center Nanoelectronic Technologies (CNT), 01099 Dresden, DEU) ,  MIKOLAJICK T. (Namlab gGmbH, 01187 Dresden, DEU) ,  FREY L. (Fraunhofer Inst. for Integrated Systems and Device Technol. (IISB), 91058 Erlangen, DEU)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 110  号： 11  ページ： 114113  発行年： 2011年12月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イットリウムをドープした酸化ハフニウム薄膜の強誘電相に対する構造及び電気的証拠を示した。HfO₂中への2.3から12.3mol%に渡るドーピングシリーズを熱原子層堆積プロセスで堆積した。10nm厚みの膜でのすれすれ入射X線回折により立方晶相の安定領域に近接した斜方晶相であることが分かった。この斜方晶相の有力な強誘電性を窒化チタン基の金属-絶縁-金属キャパシタでの分極ヒステリシス測定により確認した。5.2mol%のTO_1.5混合物に対して抗電場が約1.2MV/cmで残留分極のピークは24μC/cm²であった。共形堆積プロセスの有効性及びCMOS適合性を考慮して,強誘電Y:HfO₂は今後の強誘電体メモリに対して高いスケーリングの可能性を暗示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 不揮発性メモリ ,  *酸化ハフニウム ,  ドーピング ,  イットリウム ,  原子層エピタクシー ,  *薄膜成長 ,  *強誘電性 ,  斜方晶系 ,  薄膜コンデンサ ,  MOS構造 ,  誘電分極 ,  ヒステリシス ,  誘電率 ,  曲線 ,  残留分極 ,  抗電場
準シソーラス用語： MOSキャパシタ ,  バタフライ曲線

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： イットリウム ,  ドープ ,  酸化ハフニウム ,  強誘電性