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J-GLOBAL ID：201202266259343086   整理番号：12A0759357

低コストで高性能のアンチモン酸亜鉛薄膜を用いる熱電応用

Low-Cost High-Performance Zinc Antimonide Thin Films for Thermoelectric Applications

著者 (10件)： SUN Ye (Aarhus Univ., Aarhus, DNK) ,  CHRISTENSEN Mogens (Aarhus Univ., Aarhus, DNK) ,  JOHNSEN Simon (Aarhus Univ., Aarhus, DNK) ,  NONG Ngo V. (Technical Univ. Denmark, Roskilde, DK, DNK) ,  MA Yi (Chalmers Univ. Technol., Goeteborg, SWE) ,  SILLASSEN Michael (Aarhus Univ., Aarhus, DNK) ,  ZHANG Eryun (Aarhus Univ., Aarhus, DNK) ,  PALMQVIST Anders E. C. (Chalmers Univ. Technol., Goeteborg, SWE) ,  BOTTIGER Jorgen (Aarhus Univ., Aarhus, DNK) ,  IVERSEN Bo B. (Aarhus Univ., Aarhus, DNK)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 24  号： 13  ページ： 1693-1696  発行年： 2012年04月03日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 融解シリカ基板上に亜鉛ターゲットおよび亜鉛/アンチモンターゲットの共スパッタリングにより組成の異なる3種の亜鉛/アンチモン薄膜を形成した。X線回折,走査電子顕微鏡,エネルギー分散X線分光分析によりキャラクタリゼーションを行った。電気抵抗およびSeebeck係数の温度依存性を調べた。Zn₄Sb₃およびZnSbの純粋相の利得係数は573Kにおいて各-1.15および-0.6であり,熱電材料として有望であることを確かめた。Zn₄Sb₃膜は573K10時間のアニーリングで安定であった。

シソーラス用語： *アンチモン酸塩 ,  *亜鉛化合物 ,  *薄膜 ,  *熱電材料 ,  スパッタ蒸着 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  電気抵抗 ,  輸送係数 ,  温度依存性 ,  アニーリング【現象】 ,  熱安定性 ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： シリカ ,  Seebeck係数 ,  スパッタリング蒸着法 ,  利得係数

分類 (3件)： 熱電デバイス  (NC03090J) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固-気界面一般  (CB12041H)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高性能 ,  アンチモン酸 ,  亜鉛 ,  薄膜 ,  応用