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J-GLOBAL ID：201202266452592840   整理番号：12A0910377

3D先端パッケージ応用におけるTSV検査

TSV inspection in 3D advanced packaging applications

著者 (1件)： ASGARI Reza (Rudolph Technol., Inc., NJ)
資料名： Solid State Technology  (Solid State Technology)
巻： 55  号： 5  ページ： 24-25,28  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： E0226A  ISSN： 0038-111X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3D ICにおけるTSVのバンプやネイル数はダイ当たり100万個,ウエハ当たり6千万個に増大しており,正確な測定システムが必須である。バンプ高さや共平面性の3D測定にはレーザ三角測量システムが用いられる。45度の角度からの焦点寸法5μmのレーザ光でウエハ表面のライン1.4mmを走査し,反射散乱光を検出器で検出する。解像度54nm,焦点深さ28μm,データ認識率8MHzである。300mmウエハの100%3D走査には23分かかり,1時間のスループットは約2.5である。カメラベースの2D測定との組み合わせで完全な欠陥検査ソリューションが提供できる。

シソーラス用語： 集積回路 ,  バイアホール ,  高密度実装 ,  多層配線 ,  *バンプ ,  *ICパッケージ ,  ウエハ【IC】 ,  光走査 ,  *欠陥検査
準シソーラス用語： *TSV【配線】 ,  *レーザ走査 ,  *三次元集積回路

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 3D ,  パッケージ ,  応用 ,  TSV ,  検査