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J-GLOBAL ID：201202266512940770   整理番号：12A1093495

AlInN/(GaN)/AlN/GaNヘテロ構造に関する磁気輸送研究

Magnetotransport study on AlInN/(GaN)/AlN/GaN heterostructures

著者 (8件)： BAYRAKLI Aydin (Hacettepe Univ., Ankara, TUR) ,  BAYRAKLI Aydin (Undersecretariate for Defence Ind. (SSM), Ankara, TUR) ,  ARSLAN Engin (Bilkent Univ., Ankara, TUR) ,  FIRAT Tezer (Hacettepe Univ., Ankara, TUR) ,  OEZCAN Sadan (Hacettepe Univ., Ankara, TUR) ,  KAZAR OEzguer (Bilkent Univ., Ankara, TUR) ,  CAKMAK Hueseyin (Bilkent Univ., Ankara, TUR) ,  OEZBAY Ekmel (Bilkent Univ., Ankara, TUR)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 209  号： 6  ページ： 1119-1123  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高品質のIII族元素窒化物ヘテロ構造に関する研究の一環として,本研究では,2種類の試料,つまり,AlInN/AlN/GaNおよびAlInN/(GaN)/AlN/GaNについて,Hall効果を,1.9~300Kの温度範囲で調べた。その結果に基づいて,1)室温では,両試料のHall移動度は同程度であるが,1.9Kでは,GaN中間層を含む試料のHall移動度は,GaN中間層を含まない試料のそれの約2倍になること,2)1.9~10Kでは,Shubnikov-de Haas効果を観測したこと,などを記した。

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  素子構造 ,  多層 ,  *化合物半導体 ,  *窒化ガリウム ,  *窒化アルミニウム ,  アルミニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  窒化物 ,  温度依存性 ,  極低温 ,  *Hall移動度 ,  Shubnikov-de Haas効果
準シソーラス用語： 窒化インジウムアルミニウム

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  AlN ,  ヘテロ構造 ,  磁気輸送 ,  研究