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J-GLOBAL ID：201202266605928126   整理番号：12A0593316

局所電気的及び光学的測定によるCIGS薄膜太陽電池でのレーザスクライブの解析

Analysis of laser scribes at CIGS thin-film solar cells by localized electrical and optical measurements

著者 (6件)： WEHRMANN Anja (Leibniz Inst. of Surface Modification, Permoserstr. 15, 04318 Leipzig, DEU) ,  PUTTNINS Stefan (Solarion AG, Ostende 5, 04288 Leipzig, DEU) ,  HARTMANN Lars (Solarion AG, Ostende 5, 04288 Leipzig, DEU) ,  EHRHARDT Martin (Leibniz Inst. of Surface Modification, Permoserstr. 15, 04318 Leipzig, DEU) ,  LORENZ Pierre (Leibniz Inst. of Surface Modification, Permoserstr. 15, 04318 Leipzig, DEU) ,  ZIMMER Klaus (Leibniz Inst. of Surface Modification, Permoserstr. 15, 04318 Leipzig, DEU)
資料名： Optics & Laser Technology  (Optics & Laser Technology)
巻： 44  号： 6  ページ： 1753-1757  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： D0245B  ISSN： 0030-3992  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜太陽電池のレーザパターニングは,モジュール応用のために外部シリアルと統合モノリシック相互接続を実行するために重要であり,最近注目されている。しかし,現在の研究では,薄膜Cu(In,Ga)Se₂(CIGS)モジュールの効率が超短レーザパルスでのレーザスクライブのために低減することが分かった。このために,レーザ誘起材料改質の原因を研究するために,異なるレーザスクライブ法でレーザ加工パラメータを利用して,フェムト秒とピコ秒レーザパルスで,薄膜CIGS太陽電池をレーザスクライブした。標準的な電流電圧(I-V)測定の他に,電気的及び光学解析を実行した。例えば,レーザビーム誘起電流(LBIC),暗ロックインサーモグラフィー(DLIT),エレクトロルミネセンス(EL)測定であった。太陽電池の電気的特性に影響するスクライブ時の材料除去/改質による電気的損失を特徴づけて,その位置を決めた。局在シャントや分布シャントをレーザスクライブエッジで発見し,シャント形成に影響を及ぼすレーザ強度分布を見つけた。TCO膜のアブレーション閾値下のレーザ照射は,薄膜太陽スタックの中の材料改質を引き起こし,これにより,pn接合部の損傷が誘導されるTCO/CIGS界面の近くで,材料融解の結果としてシャントが形成された。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *セレン化インジウム銅 ,  *レーザ加工 ,  半導体薄膜 ,  パターン形成 ,  エレクトロルミネセンス ,  サーモグラフィー ,  レーザビーム ,  レーザパルス ,  レーザアブレーション ,  光学的測定 ,  電気測定
準シソーラス用語： *CIGS太陽電池 ,  レーザスクライブ ,  電気的測定 ,  薄膜太陽電池

分類 (2件)： レーザの応用  (BD04100V) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 光学的測定 ,  CIGS ,  薄膜太陽電池 ,  レーザ ,  スクライブ ,  解析