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J-GLOBAL ID：201202266673598711   整理番号：12A0345366

界面に垂直な異方性を有する面内磁気トンネル接合における200ps未満のスピン移動トルクスイッチング

Sub-200ps spin transfer torque switching in in-plane magnetic tunnel junctions with interface perpendicular anisotropy

著者 (16件)： ZHAO Hui (Univ. Minnesota, MN, USA) ,  GLASS Brian (Univ. Minnesota, MN, USA) ,  AMIRI Pedram Khalili (Univ. California, CA, USA) ,  LYLE Andrew (Univ. Minnesota, MN, USA) ,  ZHANG Yisong (Univ. Minnesota, MN, USA) ,  CHEN Yu-Jin (Univ. California, CA, USA) ,  ROWLANDS Graham (Univ. California, CA, USA) ,  UPADHYAYA Pramey (Univ. California, CA, USA) ,  ZENG Zhongming (Univ. California, CA, USA) ,  KATINE J A (Hitachi Global Storage Technol., CA, USA) ,  LANGER Juergen (Singulus Technol., Kahl am Main, DEU) ,  GALATSIS Kosmas (Univ. California, CA, USA) ,  JIANG Hongwen (Univ. California, CA, USA) ,  WANG Kang L (Univ. California, CA, USA) ,  KRIVOROTOV Ilya N (Univ. California, CA, USA) ,  WANG Jian-Ping (Univ. Minnesota, MN, USA)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 45  号： 2  ページ： 025001,1-4  発行年： 2012年01月18日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ns以下の領域での超高速スピン移動トルク(STT)スイッチングはスピン移動トルクランダムアクセスメモリ(STT-RAM)開発の重要課題の一つである。この論文では,筆者らは約100%周囲で良好なトンネル磁気抵抗(TMR)とゼロバイアス場下で大きな保持力を有するCoFeB-MgO 磁気トンネル接合(MTJ)での超高速スイッチング(165ps-10ns)を報告する。筆者らは,場の支援無しの従来のMgO MTJ構造において,それぞれ50%と98%を有する165psと190psの超高速STTを示した。ns未満STTスイッチングに対していくつかの金属スピンバルブ(SV)で見出されたようなパルス幅対スイッチング確率のプラトーは,筆者らのデータには現われなかった。筆者らの装置はまた,101%TMR比と65k_BT以上の室温熱安定係数を示した。それはSTT-RAM応用のための良い候補となる。超高速スイッチング性能に及ぼす自由層厚さの効果の効果が議論され,いくつかのサンプルからAP-PとP-APの両方において195psスイッチングを見出した。

シソーラス用語： *トンネル接合 ,  *トルク ,  *スイッチング ,  異方性 ,  RAM【メモリ】 ,  コバルト合金 ,  鉄含有合金 ,  ホウ素含有合金 ,  酸化マグネシウム
準シソーラス用語： *スピン移動トルク ,  ランダムアクセスメモリ ,  磁気トンネル接合

分類 (2件)： その他の接合  (BM03088W) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 界面 ,  異方性 ,  磁気トンネル接合 ,  スピン移動トルク ,  スイッチング