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J-GLOBAL ID：201202266769718610   整理番号：12A1584229

一軸的に歪んだ[110]/(001)Siの伝導帯モデル

Conduction Band Model of [110]/(001) Uniaxially Strained Si

著者 (7件)： SONG Jian-Jun (Xidian Univ., Xi’an, CHN) ,  YANG Chao (Xidian Univ., Xi’an, CHN) ,  WANG Guan-Yu (Xidian Univ., Xi’an, CHN) ,  ZHOU Chun-Yu (Xidian Univ., Xi’an, CHN) ,  WANG Bing (Xidian Univ., Xi’an, CHN) ,  HU Hui-Yong (Xidian Univ., Xi’an, CHN) ,  ZHANG He-Ming (Xidian Univ., Xi’an, CHN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 10,Issue 1  ページ： 104301.1-104301.4  発行年： 2012年10月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： [110]/(001)方向に一軸的に歪んだSiの伝導帯の構造は,Δ₁とΔ_2′サブバンド間の結合効果によって変わる。その結果,対応する物理特性が変化する。この変化に関して報告された論文がないため,伝導サブバンド間の結合を考慮し,[110]/(001)一軸性歪みSiのエネルギーバレーの極値近傍での解析的なE-k関係をk・p摂動論を用いて求めた。その後,バンドの縮退,エネルギー準位,分裂エネルギー,有効質量を含む伝導帯のパラメータを,応力の大きさの関数として求めた。我々の解析モデルおよび量子化された結果は,一軸歪みSi-MOSFETを設計する上での重要な理論的参考になるであろう。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *歪 ,  *結晶方位 ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  *伝導バンド ,  摂動論 ,  エネルギー準位 ,  パラメータ
準シソーラス用語： *一軸歪 ,  伝導帯

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

引用文献 (26件)：

• 1) S. H. Olsen, L. Yana, R. Agaiby, E. Escobedo-Cousin, A G O'Neill, P.-E. Hellstrom, M. Ostling, K. Lyutovich, E. Kasper, C. Claeys, and E. H C. Parker: Microelectron. Eng. 86 (2009) 218.
• 2) K. Uchida, T. Krishnamohan, K. C. Saraswat, and Y. Nishi: IEDM Tech. Dig., 2005, p. 135
• 3) D. J. Paul: Semicond. Sci. Technol. 19 (2004) R75.
• 4) L.-F. Yang, J. R Watling, R. C. W. Wilkins, M. Borici, J. R. Barker, A. Asenov, and S. Roy: Semicond. Sci. Technol. 19 (2004) 1174.
• 5) K. Uchida, R. Zednik, C.-H. Lu, H. Jagannathan, J. McVittie, P. C. McIntyre, and Y. Nishi: IEDM Tech. Dig., 2004, p. 229.

タイトルに関連する用語 (4件)： 一軸 ,  Si ,  伝導帯 ,  モデル