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J-GLOBAL ID:201202266900922032   整理番号:12A0764362

全無機コロイドナノ粒子による低電圧,非ヒステレシス性,そして高移動度トランジスタ

Low Voltage, Hysteresis Free, and High Mobility Transistors from All-Inorganic Colloidal Nanocrystals
著者 (7件):
資料名:
巻: 12  号:ページ: 1813-1820  発行年: 2012年04月 
JST資料番号: W1332A  ISSN: 1530-6984  CODEN: NALEFD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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溶液プロセスにより,無機分子(In2Se42-,及びS2-)でキャップしたCdSeナノ粒子(NC)配列をチャネル層に,そしてゾルゲル法によるZrOxをゲート絶縁膜として,バックゲートとなる縮退シリコン基板上に,Alをソース及びドレイン電極としてNC-FETを作製した。無機分子によるキャッピングにより,NC配列における高い電子移動を達成できた。また,このFETのヒステレシス挙動とスイッチング速度を調べた。最後にこのFETをRTA処理して,低い動作電圧及びヒステレシスの特性を失わずに,30cm2/(Vs)を越える移動度のトランジスタ動作を実証した。またCytopを用いたトップゲートのNC-FETも作製した。
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
コロイド化学一般  ,  その他の半導体を含む系の接触  ,  トランジスタ 

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