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J-GLOBAL ID：201202266907944430   整理番号：12A1254641

超薄ポリイミド基板上に形成されたポリシリコン薄膜トランジスタで駆動されるフレキシブルPVDF-TrFE焦電センサー

Flexible PVDF-TrFE pyroelectric sensor driven by polysilicon thin film transistor fabricated on ultra-thin polyimide substrate

著者 (4件)： PECORA A. (Consiglio Nazionale delle Ricerche - Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), Via del Fosso del ...) ,  MAIOLO L. (Consiglio Nazionale delle Ricerche - Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), Via del Fosso del ...) ,  MAITA F. (Consiglio Nazionale delle Ricerche - Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), Via del Fosso del ...) ,  MINOTTI A. (Consiglio Nazionale delle Ricerche - Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), Via del Fosso del ...)
資料名： Sensors and Actuators. A. Physical  (Sensors and Actuators. A. Physical)
巻： 185  ページ： 39-43  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： B0345C  ISSN： 0924-4247  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究で,著者らは,PVDF-TrFEコンデンサーで構成されたフレキシブル焦電センサーを提示する。それは,超薄ポリイミド薄膜(厚さ5μm)で実現されており,n-チャンネル低温ポリシリコン薄膜トランジスタで集積され,また,超薄層ポリイミド(厚さ8μm)上に形成されている。多重箔手法を利用して,焦電コンデンサーとトランジスタは,片方がもう片方と重ねられ,約15μmの最終的な厚さに達している。センサキャパシタンスの下部接点は,銀インクによってトランジスタのゲートに接続される。ただし,バイアスと負荷抵抗に対しては外部部品を使用した。アクティブなセンサ領域は,約2mmの直径をもつ円形のコンデンサーにより形成されている。PVDF-TrFE焦電特性を改善するために,外部から階段状の電圧を,約80°Cの温度で160Vまでこの構造に印加した。次に,波長632nm,最大出力5mWのHe-Neレーザからの特定の赤外線放射のもとで,異なる動作周波数(最大800Hz)で,このデバイスをテストした。ポリシリコン薄膜トランジスタのプレ増幅を利用して,10Hzで数10ミリボルトの出力信号が観察された。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ポリイミド ,  ポリシリコン ,  薄膜トランジスタ ,  *検出器 ,  フレキシブル基板
準シソーラス用語： *焦電検出器

分類 (1件)： 電流,電圧,電荷の計測法・機器  (AD07020C)

タイトルに関連する用語 (4件)： ポリイミド ,  ポリシリコン ,  薄膜トランジスタ ,  焦電センサ