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J-GLOBAL ID：201202266990548410   整理番号：12A0739009

GaNにおけるV_GaO_N中心のスピン分極およびスピンキュビットにおけるその応用

Spin-polarization of V_GaO_N center in GaN and its application in spin qubit

著者 (6件)： WANG Xiaopeng (School of Physics and State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN) ,  ZHAO Mingwen (School of Physics and State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN) ,  WANG Zhenhai (School of Physics and State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN) ,  HE Xiujie (School of Physics and State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN) ,  XI Yan (School of Physics and State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN) ,  YAN Shishen (School of Physics and State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 19  ページ： 192401-192401-4  発行年： 2012年05月07日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 立方晶系GaNにおけるV_GaO_N中心は,窒素位置にある酸素原子(O_N)と隣接ガリウム空格子点(V_Ga)とからなる欠陥複合体である。第一原理計算に基づいて,著者らは,このV_GaO_N中心が,ダイヤモンド中の,有名な窒素-空格子点中心と多くの共通点を有すること,しかし,励起エネルギーは遥かに低いこと,を予測した。この中心の電子スピン分極は,電荷状態の変化で調整できる。中性O_NV_Ga中心は,v^↓およびe_xy^↓状態を有すること,これらの状態は,低励起エネルギーでのスピンキュビット作動の達成に適した適切な間隔で,バルクバンドから分離していること,を記した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *窒化ガリウム ,  置換型原子 ,  酸素 ,  空格子点 ,  ガリウム ,  *複合欠陥 ,  *不純物準位 ,  励起エネルギー ,  スピン分極 ,  立方晶系
準シソーラス用語： スピンキュビット ,  電子スピン分極

分類 (1件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  スピン分極 ,  応用