文献

J-GLOBAL ID：201202267017733862   整理番号：12A1549406

光アノードとしてAgナノ粒子と共に堆積したZnOナノロッドアレイを使用する色素増感太陽電池の性能の向上

Improvement of the performance of dye sensitized solar cell using ZnO nanorods array deposited with Ag nanoparticles as photoanode

著者 (3件)： YIN Xingtian (International Center for Dielectric Res., Xi’an Jiaotong Univ., Electronic Materials Res. Lab., School of ...) ,  QUE Wenxiu (International Center for Dielectric Res., Xi’an Jiaotong Univ., Electronic Materials Res. Lab., School of ...) ,  SHEN Fengyu (International Center for Dielectric Res., Xi’an Jiaotong Univ., Electronic Materials Res. Lab., School of ...)
資料名： Journal of Sol-Gel Science and Technology  (Journal of Sol-Gel Science and Technology)
巻： 63  号： 3  ページ： 279-285  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： W0812A  ISSN： 0928-0707  CODEN： JSGTEC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： よく配列した酸化亜鉛(ZnO)ナノロッド(NR)アレイを液相エピタキシャル成長プロセスによりAgナノ粒(NP)と共に堆積して調製し,ZnONR表面上でAgを還元した。ほとんどの銀ナノ粒子は透過型電子顕微鏡像を見るとZnONRの上部に堆積していた。AgNPの表面プラズモン共鳴により可視光の範囲内の全ての光吸収が強化された。AgNPを含む,またはこれを含まないZnONRを使用して色素増感太陽電池を組み立てた。裸のZnONRSの配列から作製したデバイスと比べてAgNP/ZnONR複合配列から製作したデバイスは,高い開放電圧,短絡電流及びフィルファクタを示した。このように作製したセル全体の効率は0.5%未満から0.8%へ向上した。このデバイス性能の向上の主な理由は,ZnOから色素への電子の戻りに帰することができた。電解質はAg/ZnOの界面のショットキー障壁によりブロックされ,ZnOの伝導帯で電子密度の大幅な増加をもたらした。Copyright 2012 Springer Science+Business Media, LLC Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *光電極 ,  *アノード ,  *酸化亜鉛 ,  *ナノ粒子 ,  *銀 ,  *ナノ複合材料 ,  *配列 ,  ナノロッド ,  液相成長 ,  エピタクシー ,  基板 ,  酸化スズ ,  フッ素 ,  ドーピング ,  プラズマ共鳴 ,  表面プラズモン ,  光吸収 ,  電圧 ,  撮像特性 ,  効率 ,  Schottky障壁 ,  電子密度 ,  伝導バンド ,  硝酸銀 ,  還元 ,  短絡電流
準シソーラス用語： FTO ,  ガラス基板 ,  *ナノロッドアレイ ,  フィルファクタ ,  開放電圧 ,  *銀ナノ粒子 ,  光電変換効率 ,  *色素増感太陽電池 ,  表面プラズモン共鳴

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 光アノード ,  Agナノ粒子 ,  堆積 ,  ZnOナノロッド ,  アレイ ,  色素増感太陽電池