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J-GLOBAL ID:201202267035988576   整理番号:12A0311688

低温での電気化学的析出によるZnOナノロッド組織に及ぼす成長パラメーターの影響

Influence of growth parameters on texture of ZnO nanorods by using electrochemical deposition at low temperatures
著者 (4件):
資料名:
巻: 209-210  ページ: 43-50  発行年: 2012年02月23日 
JST資料番号: B0096B  ISSN: 0167-2738  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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種々の組織と結晶構造の一次元酸化亜鉛(ZnO)ナノ結晶を60~80°Cでのカチオン電着により酸化インジウムスズ(ITO)基板上に作製した。シード層密度,印加電位,成長温度,析出時間及び焼なまし温度を含むパラメーター設定の5組はITO基板上のZnOナノロッドアレイの成長を変えることが分かった。成長直後のZnOナノロッドの構造転移をX線回折,電界放射型走査電子顕微鏡,高分解能透過型電子顕微鏡及びX線光電子スペクトルにより特性評価した。電解質水溶液から電着ZnOナノロッドの優先組織成長(即ち,c軸)は析出電位,成長温度,析出時間及び焼なまし温度の増加と共に増加を示す。結果として生じたZnOナノロッドはウルツ鉱型結晶構造を示し,結晶性ロッドは(101)/(002)の小積分強度比に従って(002)方向に優先的に成長する。隣接格子じま間の間隔はおよそ2.620Åであり,それはd<sub>002</sub>面の空間に近い。Arrhenius型プロットの解析は,60~80°C内で次の順,即ち,27.5kJ/mol(時間:5分)<41.8kJ/mol(時間:10分)<46.1kJ/mol(時間:20分)を有する異なる明確な活性化エネルギーに従って,多段成長機構の証拠を提供する。ZnO組織に影響するパラメーターに関する研究は,低温での導電性基板上でZnOナノロッドの好ましいモルホロジーに成長させるため大きな利益を与える。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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電気化学反応 

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