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J-GLOBAL ID：201202267158026060   整理番号：12A0562420

PCDTBT:PC₇₀BM太陽電池におけるエネルギーレベル配列:改善されたホール集積及び効率に対する溶液処理したNiO_x

Energy level alignment in PCDTBT:PC₇₀BM solar cells: Solution processed NiO _x for improved hole collection and efficiency

著者 (6件)： RATCLIFF Erin L. (Dep. of Chemistry and Biochemistry, Univ. of Arizona, Tucson, AZ 85721, USA) ,  MEYER Jens (Dep. of Electrical Engineering, Princeton Univ., Princeton, NJ 08544, USA) ,  STEIRER K. Xerxes (Dep. of Chemistry and Biochemistry, Univ. of Arizona, Tucson, AZ 85721, USA) ,  ARMSTRONG Neal R. (Dep. of Chemistry and Biochemistry, Univ. of Arizona, Tucson, AZ 85721, USA) ,  OLSON Dana (National Center for Photovoltaics, National Renewable Energy Lab., Golden, CO 80401, USA) ,  KAHN Antoine (Dep. of Electrical Engineering, Princeton Univ., Princeton, NJ 08544, USA)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 13  号： 5  ページ： 744-749  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液ベースNiO_xはポリ[N-9′-ヘプタデカニル-2,7-カルバゾール-アルト-5,5-[4′,7′-ジ-2-チエニル-2′,1′,3′-ベンゾチアジアゾール)(PCDTBT)及びPC₇₀BMで形成されたバルク-ヘテロ接合(BHS)太陽電池中のホール集積層として使われた時PEDOT:PSSに対してデバイス性能及び安定度が上回った。促進の起源を紫外及び逆光電子分光を用いてPCDTBT或は1:4混合ヘテロ接合とPEDOT:PSS或はNiO_x間の界面エネルギーレベル配列を調べることにより明らかにした。PEDOT:PSSの1.6eV電子的ギャップとBHJとのエネルギーレベル配列はPEDOT:PSSの不十分なホール選択性となり,PEDOT:PSS/BHJ界面における電子再結合を許容した。逆に,NiO_xの大きなバンドギャップ(3.7eV)及び有機活性層での界面双極子(≫0.6eV)はホール選択性界面に導いた。この界面双極子は電子注入に対する障壁を増すことにより電子ブロッキング特性を増した。そのような強い双極子の存在は有機層から酸化物へのホール集積をさらに促進することが予測され,充填因子の増加及びショートサーキット電流の結果となった。再結合の全体的減少は開回路電圧及びPEDOT:PSS内部層に対するNiO_x上のデバイスの出力変換効率の増加により示された。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *フラーレン ,  エネルギー準位 ,  電子構造 ,  発光分光法 ,  *酸化ニッケル ,  キャリア捕獲 ,  エネルギー変換効率 ,  ポリエチレンジオキシチオフェン ,  ポリスチレンスルホン酸 ,  ポリマブレンド ,  バンドギャップ ,  キャリア注入
準シソーラス用語： *ヘテロ接合太陽電池 ,  *PCBM ,  正孔トラップ ,  PEDOT:PSS ,  正孔注入

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  電池一般  (YB04010O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 太陽電池 ,  エネルギーレベル ,  ホール ,  集積 ,  溶液処理