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J-GLOBAL ID：201202267334654048   整理番号：12A1327989

原子間力顕微鏡法による配向したSiナノ結晶の生成

Generating ordered Si nanocrystals via atomic force microscopy

著者 (5件)： VERVENIOTIS Elisseos ,  SIPEK Emil ,  STUCHLIK Jiri ,  KOCKA Jan ,  REZEK Bohuslav
資料名： Journal of Non-Crystalline Solids  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 358  号： 17  ページ： 2118-2121  発行年： 2012年09月01日 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子間力顕微鏡法(AFM)を用いてSiナノ結晶の配向アレイおよびTi/Niコートしたガラス基板上にアモルファスシリコン薄膜(200~400nm)を二つの経路で生成させることに成功した。第一に,室温での場増強金属誘起固相結晶化を小型化して,AFMにおいて鋭いチップを用いてアモルファスシリコン薄膜の高度に空間的局在化した(100nm未満)電流誘起結晶化を達成した。第二の経路では,AFMプロセスにて曝露電流を調節する(低下および/または安定化)ことによって,抵抗ナノチップがアモルファスシリコン薄膜における調整された位置に生成した。このような鋳型基板をさらに使用して,プラズマ増強化学蒸着法においてSiナノ結晶を局部的に成長させた。二つの場合において,結晶化相は電流センシングAFMマップにおいて増強電流の特徴としてin situに同定できた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ナノ結晶 ,  *ケイ素 ,  *顕微鏡観察 ,  配向 ,  アレイ ,  被覆 ,  電気装置部品 ,  *アモルファスシリコン ,  *薄膜 ,  結晶化 ,  改変 ,  電流発生 ,  鋳型材料 ,  プラズマCVD ,  検出 ,  原位置試験 ,  水素化物
準シソーラス用語： *原子間力顕微鏡法 ,  in situ試験 ,  ガラス基板 ,  コーティング ,  *シリコンナノ結晶 ,  センシング ,  プラズマ増強化学蒸着 ,  局在化 ,  金属誘起結晶化 ,  水素化アモルファスシリコン ,  電流誘起

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 原子間力顕微鏡法 ,  配向 ,  Si ,  ナノ結晶