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J-GLOBAL ID：201202267415574375   整理番号：12A0723149

イオン注入ZnOナノワイヤの構造回復

Structural recovery of ion implanted ZnO nanowires

著者 (6件)： PERILLAT-MERCEROZ G. (CEA, LETI, Minatec Campus, Grenoble 38054, FRA) ,  DONATINI F. (Inst. Neel, CNRS and Univ. Joseph Fourier, BP 166, 38042 Grenoble Cedex 9, FRA) ,  THIERRY R. (CEA, LETI, Minatec Campus, Grenoble 38054, FRA) ,  JOUNEAU P.-h. (CEA INAC/UJF-Grenoble1 UMR-E, SP2M, LEMMA, Minatec Campus, Grenoble 38054, FRA) ,  FERRET P. (CEA, LETI, Minatec Campus, Grenoble 38054, FRA) ,  FEUILLET G. (CEA, LETI, Minatec Campus, Grenoble 38054, FRA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 8  ページ： 083524-083524-5  発行年： 2012年04月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオン注入は,その後で誘起欠陥が除去できるならば,酸化亜鉛などの半導体材料のドーピング法として興味がある。バルクZnOに対する以前の研究[Perilar-Mercerozら,J.Appl.Phys.109,023513(2011)]と同じ条件でZnOナノワイヤに窒素をイオン注入し,O₂でアニールを行なって欠陥の回復機構を比較した。窒素注入とアニールがZnOナノワイヤの構造と光学的性質に及ぼす効果を透過電子顕微鏡観察と陰極線ルミネセンスにより調べた。バルク材料に比べてナノワイヤでは自由表面の近接効果のために欠陥はより効果的に回復した。それにもかかわらず,イオン注入・アニールナノワイヤからの発光は,成長したままのナノワイヤや非注入・アニールナノワイヤに比べて劣化した。これはナノワイヤ表面の吸着O₂に誘起される空間電荷領域中の励起子の解離に起因すると考えられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *ナノワイヤ ,  *イオン注入 ,  窒素 ,  *格子欠陥 ,  焼なまし ,  電子顕微鏡観察 ,  陰極線ルミネセンス ,  紫外可視発光スペクトル
準シソーラス用語： 照射欠陥

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (3件)： イオン注入 ,  ZnOナノワイヤ ,  回復