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J-GLOBAL ID：201202267418867721   整理番号：12A1727339

量子界面Y接合スイッチ

Quantum interferential Y-junction switch

著者 (6件)： TKACHENKO O A (A V Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, RAS, Novosibirsk, RUS) ,  TKACHENKO V A (A V Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, RAS, Novosibirsk, RUS) ,  KVON Z D (A V Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, RAS, Novosibirsk, RUS) ,  ASEEV A L (A V Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, RAS, Novosibirsk, RUS) ,  PORTAL J-C (CNRS, MPI-FKF, Grenoble, FRA) ,  PORTAL J-C (Inst. Universitaire de France, Toulouse, FRA)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 23  号： 9  ページ： 095202,1-10  発行年： 2012年03月09日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaAs/GaAsヘテロ接合における二次元電子ガス中に定義した小さな(100nm)量子ドットに基づく三端子系中を流れる弾道電子流のFermiエネルギー制御した方向切換を観測した。零磁場におけるゲート電圧に対して,部分コンダクタンス係数の差(G₂₁-G₂₃)は符号変化して大きく振動した。簡単な公式と数値シミュレーションに基づいて,この効果を量子干渉により説明した。干渉は弱い垂直磁場により強め合った。走査ゲート顕微鏡チップ上の電圧で電子流の方向を制御できる三端子系を考察した。

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  *量子ドット ,  半導体材料 ,  ヒ化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  *弾道電子 ,  プラズマ流 ,  干渉 ,  *スイッチ ,  電圧 ,  二次元電子ガス
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  電子流 ,  *半導体量子ドット ,  量子干渉

分類 (1件)： 継電器・スイッチ  (NA05060K)

タイトルに関連する用語 (2件)： 量子 ,  界面