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J-GLOBAL ID：201202267695029873   整理番号：12A1466396

フリップチップバンプのエレクトロマイグレーションに及ぼす45nm~28nmノードスケーリングの影響

The Impact of 45 to 28nm Node-Scaling on the Electromigration of Flip-Chip Bumps

著者 (3件)： HAU-RIEGE Christine (Qualcomm, CA, USA) ,  YAU You-Wen (Qualcomm, CA, USA) ,  ZHAO Lily (Qualcomm, CA, USA)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2012 Vol.1  ページ： 135-139  発行年： 2012年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無鉛フリップチップバンプのエレクトロマイグレーション(EM)に及ぼす45nm~28nmノードスケーリングの影響について検討した。UBMの各種スパッターCuおよびめっきNi層の厚みに加えて,バンプ下地冶金(UBM)およびポリイミド(PI)オープン直径の影響を調べた。電流密度指数nも特性化され,このパラメーターに及ぼすJoule加熱の影響および,I_maxに及ぼす影響も調べた。UBM直径はEM寿命に影響を及ぼし,20μmの小さいPIオープンは寿命に影響を及ぼさないことが分かった。

シソーラス用語： エレクトロマイグレーション ,  冶金 ,  *超小形回路技術 ,  下地 ,  バンプ ,  メタライゼーション ,  *フリップチップ法 ,  ポリイミド
準シソーラス用語： *UBM

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： エレクトロマイグレーション ,  ノード ,  スケーリング