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J-GLOBAL ID：201202267778913902   整理番号：12A1321454

ポリシリコン薄膜トランジスタにおいて粒界に誘起される閾値電圧変動の物理モデル

A Physical Model for Grain-Boundary-Induced Threshold Voltage Variation in Polysilicon Thin-Film Transistors

著者 (3件)： HO Chih-Hsiang (Purdue Univ., IN, USA) ,  PANAGOPOULOS Georgios (Purdue Univ., IN, USA) ,  ROY Kaushik (Purdue Univ., IN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 9  ページ： 2396-2402  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリシリコンTFTのチャネル内にある粒界(GB)はTFT性能に大きなばらつきをもたらす。しかし,GBの数,位置,方向がランダムなので近接TFT間のデバイス変動が大きく,現在のコンパクトモデルでモデル化できない。本稿は,GBの数だけでなく,3D空間の位置や方向も考慮したGB誘起トランジスタ閾値電圧変動をキャラクタライズする物理モデルを提供する。提案モデルを使ってTFTにたいするGBの影響をいろいろな結晶粒度,デバイスサイズ,ソースドレイン電圧について詳細に検討した。特に,結晶粒度がデバイスサイズと同等の時,閾値電圧ばらつきが大きく増加し,その分布は非Gaussianである。提案したシミュレーション法はフレキシブルであり,異なる結晶化プロセスに対するGBの効果を予測できる。

シソーラス用語： *結晶粒界 ,  *ポリシリコン ,  *薄膜トランジスタ ,  電圧 ,  変動 ,  モデル ,  結晶粒度 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： コンパクトモデル ,  物理モデル ,  粒界 ,  *閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ポリシリコン ,  薄膜トランジスタ ,  粒界 ,  誘起 ,  閾値電圧 ,  物理モデル