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J-GLOBAL ID：201202267811175661   整理番号：12A0610999

GaAs(100)からの偏光光ルミネセンスの光学的発生

Optical generation of polarized photoluminescence from GaAs(100)

著者 (4件)： HU Zhan (Dep. of Chemistry, Univ. of Illinois at Chicago, Chicago, Illinois 60607, USA) ,  SINGHA Sima (Dep. of Chemistry, Univ. of Illinois at Chicago, Chicago, Illinois 60607, USA) ,  H. RICH Daniel (Dep. of Physics and The Ilse Katz Inst. for Nanoscale Sci. and Technol., Ben-Gurion Univ. of the Negev, P.O.B 653 ...) ,  J. GORDON Robert (Dep. of Chemistry, Univ. of Illinois at Chicago, Chicago, Illinois 60607, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 14  ページ： 141102-141102-4  発行年： 2012年04月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 成形した超短レーザパルスを用いてGaAs(100)から偏光光ルミネセンスを発生させた。縦光学フォノンの周期の整数倍だけ分離した三パルスの列はp偏光連続光放射を生成し,フォノン周期の半整数倍及び単一Gaussパルスの列はs偏光放射を生成した。p偏光放射はL谷中のキャリア再結合に起因し,パルス列によるコヒーレントフォノン励起とプラズモン発生に由来し,s偏光放射は非偏光プラズマ発光の融解表面による反射に起因する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *光ルミネセンス ,  レーザパルス ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  *フォノン ,  偏光 ,  キャリア再結合 ,  光ポンピング ,  プラズモン
準シソーラス用語： フォノン励起 ,  *縦光学フォノン

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  偏光 ,  光ルミネセンス ,  光学