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J-GLOBAL ID：201202267858687180   整理番号：12A1048096

置換ケイ素鎖の磁気的性質と導電性の理論的研究 I 水素およびオキソベルダジル配位子

Theoretical Investigation of Magnetic and Conducting Properties of Substituted Silicon Chains. I. Hydrogen and Oxo-Verdazyl Ligands

著者 (3件)： HANSDA Shekhar (Indian Inst. Technol., Mumbai, IND) ,  LATIF Iqbal A. (Indian Inst. Technol., Mumbai, IND) ,  DATTA Sambhu N. (Indian Inst. Technol., Mumbai, IND)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 116  号： 23  ページ： 12725-12737  発行年： 2012年06月14日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子化学および固相法を用いて,オキソベルダジル(o-VER)ラジカルと水素を含む三つのケイ素鎖の磁気的性質と導電性を調べた。39単量体を計算し,大きなJ値を得た。ケイ素骨格上のラジカルの交互および非交互配置に対して,分子内強磁性(FM)および反強磁性(AFM)相互作用を認めた。o-VER基が互いに平行に積層する交互配置ではJ値は大部分が負となった。鎖経由および空間経由相互作用の競争に基づきこのことを説明できた。積層平面種間の空間経由スピン-スピン相互作用のMcConnell則はパンケーキ型配置のAFM相互作用を予測した。分離の増大と正確な平行配座からの歪はFM特性への偏移を生じた。ケイ素骨格に結合した完全なo-VER部分の歪んだ積層はこのことを証明した。平面FMモーメントから導出したポリシランは半導体であり,スピントニック材料であると予測した。厳密な平行積層のAFMモーメントから導出したポリシランの一つは導体であり,他は小バンドギャップの半導体であった。ポリシランの歪んだ積層型は半導性の強磁性体であった。

シソーラス用語： スピン-スピン相互作用 ,  *導電性 ,  *磁気的性質 ,  密度汎関数法 ,  計算機コード ,  配位子 ,  有機ケイ素化合物 ,  *ポリシラン誘導体 ,  ラジカル ,  分子構造 ,  強磁性 ,  反強磁性 ,  ポリシラン重合体 ,  エネルギーギャップ ,  スピン密度 ,  電子構造 ,  分子内相互作用
準シソーラス用語： B3LYP ,  HOMO-LUMOギャップ

分類 (4件)： 有機けい素化合物  (CF08030C) ,  有機化合物の磁性  (BM06070A) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

物質索引 (1件)： オキソベルダジルラジカル

タイトルに関連する用語 (8件)： 置換 ,  ケイ素 ,  磁気的性質 ,  導電性 ,  理論 ,  研究 ,  水素 ,  配位子