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J-GLOBAL ID：201202267933215940   整理番号：12A1663004

TSVを用いる間接NoCの評価

Evaluation of Indirect NoC using TSV

著者 (2件)： 飯尾亮介 (東大) ,  平木敬 (東大)
資料名： 情報処理学会研究報告(CD-ROM)
巻： 2012  号： 3  ページ： ROMBUNNO.ARC-201,NO.7  発行年： 2012年10月15日 
JST資料番号： Z0031C  ISSN： 2186-2583  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： シングルスレッド性能向上の鈍化によるメニーコアへの転換が行われつつある現在,パフォーマンススケーリングを得るためにNoCに関して多くの研究がなされている。特に,半導体製造技術の向上により可能となったシリコン貫通電極(TSV)による三次元積層を用いた3D-NoCが注目されている。3D-NoCがもたらす利点の1つとして,リンクの長さを短くしレイテンシを小さくすることが可能である点が挙げられる。本論文では,その利点をMultistage Interconnection Network(MIN)に適用し,k-ary n-tree及びDragonflyについてのパフォーマンス及び資源消費に対する評価を行った。(著者抄録)

シソーラス用語： *超LSI ,  *相互結合網 ,  バイアホール ,  電子技術 ,  マイクロプロセッサ ,  リンク ,  待ち時間 ,  電力消費 ,  システム評価 ,  評価試験 ,  スケーリング【計数】 ,  *半導体プロセス ,  メニーコア・プロセッサ ,  シリコン貫通ビア
準シソーラス用語： *NoC ,  TSV【配線】 ,  シリコン貫通電極 ,  レイテンシ ,  *三次元積層化技術 ,  成績評価

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  ディジタル計算機方式一般  (JC02010O) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： TSV ,  間接 ,  NoC ,  評価