逆矩形ピラミッドアレイを基本とするナノ構造の金属基板によるSERS増強の最適化と格子の非対称性の効果に関する研究

OO Swe Zin; CHARLTON Martin D. B.; EUSTACE David; CHEN R. Y.; PEARCE S. J.; POLLARD M. E.

文献

J-GLOBAL ID：201202268192104017 整理番号：12A0795352

逆矩形ピラミッドアレイを基本とするナノ構造の金属基板によるSERS増強の最適化と格子の非対称性の効果に関する研究

Optimization of SERS enhancement from nanostructured metallic substrate based on arrays of inverted rectangular pyramids and investigation of effect of lattice non-symmetry

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資料名：
巻： 8234 ページ： 823406.1-823406.7 発行年： 2012年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

逆矩形ピラミッドアレイを基本とするナノ構造の金属基板による表面増強Raman散乱(SERS)増強法の最適化と格子の非対称性の効果に関する研究結果を報告する。ベンゼンチオルとベンジルメルカプタン分子を試験体として,ピッチとピッチ幅が,それぞれ1250nmおよび1000nmで,縦横比が1:1.2の逆矩形ピラミッドアレイに関するSERS感度を評価した。ベースライン補正をすると,SERS感度は10⁵程度増大し,基準となるKlarite^TMに比べて,SERSのカウント数は786%増加することが分かった。また,チップ全域に亘る揺らぎは8.8%以下であることが分かった。採用した逆矩形ピラミッドアレイからのSERSカウントは縦横比の異なる逆矩形ピラミッドアレイや正方形の逆ピラミッドアレイによるSERSカウントよりも可成り大きいことが判明した。

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赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル一般

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