文献

J-GLOBAL ID：201202268449722744   整理番号：12A0610040

遺伝的アルゴリズムを使ったガリウム・ヒ素ベースのデバイスの電子移動度の調査

Investigation of electron mobility in GaAs-based devices using genetic algorithm

著者 (3件)： TAHERI Ali (Amirkabir Univ. Technol., Tehran, IRN) ,  DAVOODI Mansoor (Amirkabir Univ. Technol., Tehran, IRN) ,  SETAYESHI Saeed (Amirkabir Univ. Technol., Tehran, IRN)
資料名： Compel  (Compel)
巻： 31  号： 2  ページ： 604-618  発行年： 2012年 
JST資料番号： H0945A  ISSN： 0332-1649  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,  遺伝的アルゴリズム ,  *キャリア移動度
準シソーラス用語： *電子移動度

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 遺伝的アルゴリズム ,  ガリウム ,  ヒ素 ,  電子移動度 ,  調査