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J-GLOBAL ID：201202268490710159   整理番号：12A1440939

⁵⁷Fe濃縮BiFeO₃薄膜のMoessbauer分光法による特性化

Characterization of ⁵⁷Fe-Enriched BiFeO₃ Thin Films by Moessbauer Spectroscopy

著者 (4件)： TANAKA Kiyotaka (Shizuoka Inst. Sci. and Technol., Shizuoka, JPN) ,  TSUKAMOTO Yoshinori (Shizuoka Inst. Sci. and Technol., Shizuoka, JPN) ,  HAYAKAWA Kazuo (Shizuoka Inst. Sci. and Technol., Shizuoka, JPN) ,  YOSHIDA Yutaka (Shizuoka Inst. Sci. and Technol., Shizuoka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 9,Issue 2  ページ： 09LB03.1-09LB03.5  発行年： 2012年09月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ⁵⁷Fe濃縮BiFeO₃薄膜をPt/Ti/SiO₂/Si基板上に化学量論組成前駆体から化学溶液堆積法により作製した。BFO薄膜のBi/Feモル比は約0.93であった。BFO薄膜の結晶度と表面形態は単一焼結技術を用いて改善した。BFO薄膜のMoessbauerスペクトルを室温で測定し,Feイオンの価電子状態がFe³⁺のみであることを確認した。550°Cにおける単一焼結で作製したBFO薄膜の一つは相対的に飽和したP-Eヒステリシスループを示した。室温における10kHzにおける抗電場は327kV/cm,残留分極は59μC/cm2であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ビスマス化合物 ,  鉄化合物 ,  酸化物 ,  溶液成長 ,  *薄膜成長 ,  *Moessbauerスペクトル ,  電子状態 ,  価電子 ,  抗電場 ,  残留分極 ,  強誘電体 ,  圧電体 ,  *誘電体薄膜
準シソーラス用語： ヒステリシスループ ,  化学溶液堆積 ,  *強誘電体薄膜

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

引用文献 (29件)：

• 1) Y. N. Venevtsev, G. Zhadanov, and S. Solon'ev: Sov. Phys. Crystallogr. 4 (1960) 538.
• 2) G. Smolenskii, V. Isupov, A. Agranovskaya, and N. Kranik: Sov. Phys. Solid State 2 (1961) 2651.
• 3) J. Wang, J. B. Neaton, H. Zheng, V. Nagarajan, S. B. Ogale, B. Liu, D. Viehland, V. Vaithyanathan, D. G. Schlom, U. V. Waghmare, N. A. Spaldin, K. M. Rabe, M. Wuttig, and R. Ramesh: Science 299 (2003) 1719.
• 4) F. Kubel and H. Schmid: Acta Crystallogr., Sect. B 46 (1990) 698.
• 5) J. R. Teague, R. Gerson, and W. J. James: Solid State Commun. 8 (1970) 1073.

タイトルに関連する用語 (5件)： 濃縮 ,  BiFeO3 ,  薄膜 ,  Moessbauer分光法 ,  特性化