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J-GLOBAL ID：201202268495988058   整理番号：12A1359080

高効率太陽電池のために種成長を介する多結晶シリコンインゴット結晶品質の改善

Improved multicrystalline silicon ingot crystal quality through seed growth for high efficiency solar cells

著者 (10件)： JOUINI Anis (CEA/LITEN, Le Bourget-du-Lac, FRA) ,  PONTHENIER Damien (CEA/LITEN, Le Bourget-du-Lac, FRA) ,  LIGNIER Helene (CEA/LITEN, Le Bourget-du-Lac, FRA) ,  ENJALBERT Nicolas (CEA/LITEN, Le Bourget-du-Lac, FRA) ,  MARIE Benoit (CEA/LITEN, Le Bourget-du-Lac, FRA) ,  DREVET Beatrice (CEA/LITEN, Le Bourget-du-Lac, FRA) ,  PIHAN Etienne (CEA/LITEN, Le Bourget-du-Lac, FRA) ,  CAYRON Cyril (CEA/LITEN, Grenoble, FRA) ,  LAFFORD Tamzin (ESRF, Grenoble, FRA) ,  CAMEL Denis (CEA/LITEN, Le Bourget-du-Lac, FRA)
資料名： Progress in Photovoltaics  (Progress in Photovoltaics)
巻： 20  号： 6  ページ： 735-746  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： W0463A  ISSN： 1062-7995  CODEN： PPHOED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 特殊設計の熱抽出素子を用いて,種方位と供給原料物質を変えて,5kgインゴットについて実験室スケールの結晶化実験を行った。その主要な目的は,種付け工程の制御の最適化,出現する各種欠陥の電気活性度の評価,およびその形成機構の分析である。インゴットの異なる領域(単結晶様の中心部分および周辺部のツイン化および多結晶様部分)の構造的評価に注意を払った。単結晶部分内に発生する局所的欠陥領域の発達を全インゴット高について調べて,その電気特性を分析した。最後に電池性能全体におよぼす構造の影響を評価した。種付けが正確に行われない場合に現れる多結晶域は,不均質な電気特性をもつ。横向き壁から生じる寄生的粒体は,多重ツイン化の源である。しかしツイン化領域は,単結晶部分と似た結晶性を持ち,電気特性も似ている。単結晶内部のツイン化域は少数キャリア特性を劣化させる。適当な熱設計と種の選択により,これらの欠陥を全て除去することが可能である。

シソーラス用語： *ポリシリコン ,  インゴット ,  品質 ,  *種結晶 ,  欠陥 ,  *電気特性 ,  *不均一性 ,  双晶
準シソーラス用語： 結晶品質

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高効率 ,  太陽電池 ,  種 ,  成長 ,  多結晶シリコン ,  インゴット ,  結晶品質