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J-GLOBAL ID：201202268513029110   整理番号：12A1738376

犠牲珪素ナノワイヤからの珪素ナノチューブ: 柔軟高分子中への埋込みによる作製と操作

Silicon nanotubes from sacrificial silicon nanowires: fabrication and manipulation via embedding in flexible polymers

著者 (3件)： CONVERTINO Annalisa (IMM, CNR, Roma, ITA) ,  CUSCUNA Massimo (IMM, CNR, Roma, ITA) ,  MARTELLI Faustino (IMM, CNR, Roma, ITA)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 23  号： 30  ページ： 305602,1-5  発行年： 2012年08月03日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己集合した犠牲珪素(Si)ナノワイヤの成長から出発して,Siナノチューブを簡単に作製すると同時に,それらをポリイミド基質中に埋込み,これらのナノ物体を非常に簡単に除去,移動,配置する方法を示した。この全珪素作製法はSi技術プラットフォームと完全に両立する。移動したナノチューブは下層電極と良好な電気接触を示し,電気抵抗率は低い。エレクトロニクスにおけるナノチューブの潜在性と移動法の有効性を実証した。ナノチューブの光反射率を近紫外~近赤外領域で測定した。

シソーラス用語： ナノワイヤ ,  *ナノチューブ ,  自己集合 ,  *電気抵抗率 ,  光反射 ,  *ケイ素 ,  波長依存性 ,  反射率
準シソーラス用語： ケイ素ナノワイヤ ,  *珪素ナノチューブ ,  光反射率

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 犠牲 ,  珪素ナノワイヤ ,  珪素 ,  ナノチューブ ,  高分子 ,  埋込み ,  作製