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J-GLOBAL ID：201202268614128097   整理番号：12A0955594

カーボンナノチューブに基づいた超低電圧の集積回路:0.4Vへのスケールダウン

Carbon nanotube based ultra-low voltage integrated circuits: Scaling down to 0.4 V

著者 (8件)： DING Li (Key Lab. for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Dep. of Electronics, Peking Univ., Beijing 100871, CHN) ,  LIANG Shibo (Key Lab. for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Dep. of Electronics, Peking Univ., Beijing 100871, CHN) ,  PEI Tian (Key Lab. for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Dep. of Electronics, Peking Univ., Beijing 100871, CHN) ,  ZHANG Zhiyong (Key Lab. for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Dep. of Electronics, Peking Univ., Beijing 100871, CHN) ,  WANG Sheng (Key Lab. for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Dep. of Electronics, Peking Univ., Beijing 100871, CHN) ,  ZHOU Weiwei (Dep. of Chemistry, Duke Univ. Durham, North Carolina 27708, USA) ,  LIU Jie (Dep. of Chemistry, Duke Univ. Durham, North Carolina 27708, USA) ,  PENG Lian-mao (Key Lab. for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Dep. of Electronics, Peking Univ., Beijing 100871, CHN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 26  ページ： 263116-263116-5  発行年： 2012年06月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基本的な論理回路と演算回路を含むカーボンナノチューブ(CNT)系集積回路(IC)が,0.4Vと低い供給電圧下で作動することを実証した。これは従来型のシリコンICで使われる電圧よりも非常に低い。CNT回路の供給電圧の下限は,閾値電圧ゆらぎを誘起する過程から生じる劣化した雑音余裕で決まる。CNT ICの電力散逸は供給電圧をスケールダウンして大きく低下することができ,これはより高い集積密度のナノエレクトロニクスICをさらに開発するため極めて重要になる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *カーボンナノチューブ ,  論理回路 ,  集積回路 ,  電圧 ,  消費電力 ,  ケイ素 ,  電圧変動 ,  雑音余裕 ,  電子技術 ,  *FET【トランジスタ】 ,  CMOS構造 ,  *インバータ
準シソーラス用語： 演算回路 ,  *供給電圧 ,  超低電力 ,  電圧ゆらぎ ,  ナノエレクトロニクス

分類 (1件)： 集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (4件)： カーボンナノチューブ ,  低電圧 ,  集積回路 ,  スケールダウン