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J-GLOBAL ID：201202268672601312   整理番号：12A1236045

ホットプレス法によるCu₂ZnSnS₄のバルク結晶成長

Growth and Characterization of Cu₂ZnSnS₄ Crystals Grown by Hot-press Method

著者 (6件)： 田代龍一 (宮崎大 工) ,  永岡章 (宮崎大 工) ,  太田原麗 (宮崎大 工) ,  山本由美 (宮崎大 工) ,  吉野賢二 (宮崎大 工) ,  碇哲雄 (宮崎大 工)
資料名： Memoirs of the Faculty of Engineering, University of Miyazaki  (Memoirs of the Faculty of Engineering, University of Miyazaki)
号： 41  ページ： 105-110  発行年： 2012年07月30日 
JST資料番号： G0471A  ISSN： 0540-4924  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 太陽電池材料として注目されているCu₂ZnSnS₄(CZTS)の,ホットプレス法によるバルク結晶の結晶成長を述べ,得られたCZTSの組成や特性を検討し,評価した。原料として,Cu₂S(99.5%),ZnS(99.5%),SnS₂(99.5%)を使用した。作製したCZTSバルク結晶の構造特性と結晶化度をX線回折法で,組成分析を電子プローブマイクロ分析で,電気特性をホール測定で評価した。直径30mm,厚さ約2mmの円柱状試料を,圧力7.71MPa,成長温度400°C,500°C,600°C,650°C,700°C,成長時間1時間で処理して試料を作製した。ホール測定では,キャリア濃度,移動度,抵抗率を求めた。また,試料断面のSEM観察も実施した。

シソーラス用語： *半導体材料 ,  硫化物 ,  スズ化合物 ,  亜鉛化合物 ,  銅化合物 ,  *結晶成長 ,  ホットプレス ,  X線トポグラフィー ,  電気特性 ,  化合物半導体 ,  太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： ホットプレス法 ,  Cu2ZnSnS4 ,  バルク ,  結晶成長