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J-GLOBAL ID：201202268877765210   整理番号：12A1309710

メモリ効果を持つ高出力RFトランジスタと増幅器の非線形測定とモデリングの最近の傾向

New Trends for the Nonlinear Measurement and Modeling of High-Power RF Transistors and Amplifiers With Memory Effects

著者 (5件)： ROBLIN Patrick (Ohio State Univ., OH, USA) ,  ROOT David E. (Agilent Technol. Inc., CA, USA) ,  VERSPECHT Jan (Agilent Technol. Belgium SA/NV, Opwijk, BEL) ,  KO Youngseo (Ohio State Univ., OH, USA) ,  TEYSSIER Jean Pierre (Univ. Limoges, Limoges, FRA)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 60  号： 6,Pt.2  ページ： 1964-1978  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電力増幅器(PA)に使われるトランジスタはすべてある程度のメモリ効果を持つため,PAのモデリングと設計にはこのことを考慮しなければならない。本論文はまず,連続波(CW)とパルスRF大信号測定による,熱的及び電気的メモリ効果が大信号RF性能に及ぼす影響の定量化について調べた。パルスRFロードプル測定では,CWロードプル測定よりも,高いピーク対平均電力比(PAPR)の変調信号で励起されるトランジスタのより現実的なピーク電力応答が得られる。次に,大信号動作下のメモリ効果を説明できるRFデバイスモデルを報告した。用いた方法は系統的・一般的・かつ強力な方法であり,人工ニューラルネットワークに基づく技術により,非線形ベクトル・ネットワーク・アナライザ(NVNA)で得た大信号波形から,自己加熱がありタップ依存的な非線形シミュレーションモデルの特性を決定し特定することができる。最後に,RF PAに対する挙動モデルを構築するやりかたとしてX-parameterを報告した。これで得られるモデルは市販の複素エンベロープ・シミュレータに実装でき,長期メモリ効果を含むPA挙動を正確に予測できる。

シソーラス用語： *トランジスタ ,  *電力増幅器 ,  モデリング ,  *記憶効果 ,  電気測定 ,  信号特性 ,  比率 ,  ニューラルネットワーク ,  非線形
準シソーラス用語： PAPR ,  *メモリ効果 ,  人工ニューラルネットワーク ,  ベクトルネットワークアナライザ

分類 (2件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： メモリ効果 ,  高出力 ,  RF ,  トランジスタ ,  増幅器 ,  非線形 ,  モデリング ,  傾向