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J-GLOBAL ID:201202268929781767   整理番号:12A1000346

酸化チタン-ポリスチレン・ナノ複合誘電体の有機高分子半導体の形態と薄膜トランジスタ性能への効果

Effect of titanium oxide-polystyrene nanocomposite dielectrics on morphology and thin film transistor performance for organic and polymeric semiconductors
著者 (5件):
資料名:
巻: 520  号: 19  ページ: 6262-6267  発行年: 2012年07月31日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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以前の研究は,高K酸化チタン-ポリスチレン芯-殻ナノ複合材(TiO2-PS)のブレンドとポリスチレン(PS)から成るゲート誘電体上に堆積したペンタセンによる有機薄膜トランジスタは飽和移動度でPSデバイス(K = 2.5)と比較してTiO2-PS(K = 8)で1桁増加することを示した。現在の研究で,この機能強化がα-sexithiophene(α-6T)のような代替小単結晶有機物に変換できることを見つけた。(フィールド効果移動度で同種PS誘電体と比較してTiO2-PS/PS混合誘電体上で30~100倍の範囲の係数の強化)。しかし面白いことに半結晶性重合体,例えば(poly-3-hexylthiophene)P3HTの場合この劇的な強化は,おそらく,これらのデバイスを作る処理条件(熱蒸発に対するフィルム複写)の違いにより観察されない。熱蒸発によってTiO2-PS/PS混合誘電体上に成長させたα-sexithiophene(α-6T)の形態は,ペンタセン・デバイスで観察した形態と平行している。より高いTiO2-PS含量の誘電体上に成長させた薄膜でより小さいグレーン・サイズを観察した。フィルム複写を通して造ったpoly(3-hexylthiophene)(P3HT)デバイスの場合,原子間力顕微鏡による研究で認められるように異なる基板上のP3HTで形態的な違いが存在する。しかし,これらのデバイスは,薄膜でTiO2-PS含量を増やすことで移動度の適度(2×)の増加を示すだけである。移動したP3HT薄膜トランジスタ(TFT)デバイスの,アニール後に,異なる混合誘電体を横切って移動度でのこれといった強化は,観察されない。全体的に,結果は,熱蒸発した小分子結晶性の有機導体TFTで核生成速度が薄膜形態とデバイス性能の変化の原因であるという仮説を支持する。増えた核生成速度は,小さいグレーン・サイズの有機多結晶薄膜を生じ,これは,よりよくつながれて,荷電輸送でより低いバリアを示し,このため,これらのデバイスで,より高いフィールド効果移動度として,測られる。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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