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J-GLOBAL ID：201202269030095266   整理番号：12A1006543

GaAs上の実用的な集積化受動デバイス技術

Practical Integrated Passive Device Technology on GaAs

著者 (3件)： WANG Cong ,  LEE Won-Sang ,  KIM Nam-Young
資料名： Microwave Journal  (Microwave Journal)
巻： 55  号： 6  ページ： 94,96,98,100,102,104,106  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： C0035B  ISSN： 0192-6225  CODEN： MCWJA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 集積化受動デバイス(IPD)は抵抗,インダクタ,キャパシタのような受動回路素子を含み,半導体基板上に集積化される。この技術によりRFデバイス中に受動部品を組み込むことができる。IPD設計を簡単化するために開発された設計フローがあり,これに基づき設計する。セルライブラリから最適なトポロジと部品を選び,回路レベルシミュレーションや物理レイアウト用のソフトウェアを用いて設計を行う。またレイアウト後はEMシミュレーションを行う。

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  回路部品 ,  *半導体集積回路 ,  回路シミュレーション ,  抵抗器 ,  インダクタ ,  コンデンサ
準シソーラス用語： *受動回路素子

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaAs ,  集積化 ,  受動デバイス