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J-GLOBAL ID：201202269761266043   整理番号：12A0067907

触媒を使用しない2つのるつぼ法によって炭素ファイバー上に成長した変換SiCナノニードル

Inverted SiC nanoneedles grown on carbon fibers by a two-crucible method without catalyst

著者 (8件)： QIAN Bingjian (Key Lab. for Thin Film and Microfabrication of Ministry of Education, Res. Inst. of Micro/Nano Sci. and Technol. ...) ,  QIAN Bingjian (School of Physical Sci. and Technol., Lanzhou Univ., Lanzhou 730000, CHN) ,  LI Hairong (School of Physical Sci. and Technol., Lanzhou Univ., Lanzhou 730000, CHN) ,  YANG Zhi (Key Lab. for Thin Film and Microfabrication of Ministry of Education, Res. Inst. of Micro/Nano Sci. and Technol. ...) ,  ZHANG Yaozhong (Key Lab. for Thin Film and Microfabrication of Ministry of Education, Res. Inst. of Micro/Nano Sci. and Technol. ...) ,  SU Yanjie (Key Lab. for Thin Film and Microfabrication of Ministry of Education, Res. Inst. of Micro/Nano Sci. and Technol. ...) ,  WEI Hao (Key Lab. for Thin Film and Microfabrication of Ministry of Education, Res. Inst. of Micro/Nano Sci. and Technol. ...) ,  ZHANG Yafei (Key Lab. for Thin Film and Microfabrication of Ministry of Education, Res. Inst. of Micro/Nano Sci. and Technol. ...)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 338  号： 1  ページ： 6-11  発行年： 2012年01月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヘキサゴナル断面を有する変換単結晶のSiCナノニードルをいかなる触媒も使用しないで,高周波誘導加熱の2つのるつぼによって,炭素ファイバー表面上に成長した。5分以内にSiCナノニードルを合成するために,コークスファイバーによる一酸化ケイ素の炭素熱還元法を採用する。成長したままのSiCナノニードルは,炭素ファイバー上に3C-SiC構造の[111]方向を持つブライトブルー色を示した。スピンドル部分は他のナノニードルと異なり,炭素ファイバー内に接着したが,ニードルライク構造は基板に成長した。最後に,SiCナノニードルの成長機構は,螺旋転位の駆動力を持った軸方向の成長と,一方で,気固メカニズムを持った半径方向の成長であることを提案する。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *結晶成長 ,  気相成長 ,  *炭化ケイ素 ,  *溶融還元法 ,  *坩堝 ,  *炭素繊維 ,  *ナノ構造 ,  *針 ,  六方晶系 ,  *酸化ケイ素 ,  機構 ,  スピンドル ,  螺旋転位 ,  気固界面
準シソーラス用語： *3C-SiC ,  *ナノニードル ,  成長機構

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 触媒 ,  るつぼ ,  炭素ファイバー ,  成長 ,  SiC ,  ナノニードル