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J-GLOBAL ID：201202269811398396   整理番号：12A0524114

平行直列結合変圧器による完全集積化ハイパワー線形CMOS電力増幅器

A Fully-Integrated High-Power Linear CMOS Power Amplifier With a Parallel-Series Combining Transformer

著者 (15件)： KIM Jihwan (Georgia Inst. Technol., GA, USA) ,  KIM Jihwan (Intel Corp., OR, USA) ,  KIM Woonyun (Georgia Inst. Technol., GA, USA) ,  KIM Woonyun (Qualcomm Inc., CA, USA) ,  JEON Hamhee (Georgia Inst. Technol., GA, USA) ,  JEON Hamhee (TriQuint Semiconductor, OR, USA) ,  HUANG Yan-Yu (Georgia Inst. Technol., GA, USA) ,  HUANG Yan-Yu (Intel Corp., OR, USA) ,  YOON Youngchang (Georgia Inst. Technol., GA, USA) ,  YOON Youngchang (Qualcomm Inc., CA, USA) ,  KIM Hyungwook (Georgia Inst. Technol., GA, USA) ,  KIM Hyungwook (Qualcomm Inc., CA, USA) ,  LEE Chang-Ho (Georgia Inst. Technol., GA, USA) ,  LEE Chang-Ho (Qualcomm Inc., CA, USA) ,  KORNEGAY Kevin T. (Georgia Inst. Technol., GA, USA)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 47  号： 3  ページ： 599-614  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： WiMAXのような長距離移動通信環境における23dBmの平均出力レベルに適合するには,電力増幅器(PA)の利得応答は30~31dBmが必要とされる。飽和出力34dBmの線形CMOS PAを開発した。PAには高効率で線形性の高い高出力を発生するように,四つの差動PAコアが並列で組み込まれている。小さい形状因子で効率的にオンチップ電力結合器を導入するために平行直列結合変圧器(PSCT)を提案する。提案するPSCTを用いて2ステージクラスAB PAを0.18μm CMOS技術で設計製作した。PAは2.4GHzの動作周波数において,ピークPAEが34.9%でP_1dBが32.5dBm,P_satが34dBm,P_linearが23.5dBmを達成した。

シソーラス用語： 電子技術 ,  出力 ,  *電力増幅器 ,  *変圧器 ,  マイクロ波通信 ,  無線伝送 ,  合成 ,  結合器 ,  形状因子
準シソーラス用語： CMOS技術 ,  WiMAX ,  ハイパワー ,  電力結合器 ,  *電力合成

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (7件)： 直列 ,  変圧器 ,  集積化 ,  ハイパワー ,  線形 ,  CMOS ,  電力増幅器