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J-GLOBAL ID:201202270941655437   整理番号:12A1573067

残留1/fγ(γ=2.2)ノイズと予備推定平均トラップエネルギーを持つカーボンブラック高分子における高バイアス電流下の1/fノイズと異常な高周波数不活性化

1/f noise and its unusual high-frequency deactivation at high biasing currents in carbon black polymers with residual 1/f γ (γ =2.2) noise and a preliminary estimation of the average trap energy
著者 (9件):
資料名:
巻: 174  ページ: 577-585  発行年: 2012年11月 
JST資料番号: T0967A  ISSN: 0925-4005  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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不活性化学雰囲気(乾燥窒素)と活性化学雰囲気(トルエンやエタノール蒸気)両方の下で,5つの異なるカーボンブラック複合材料抵抗性ガスセンサのノイズ測定を行った。全センサは,μA域のバイアス電流で顕著な1/fノイズの存在を示した。また,1/fノイズレベルは,化学環境,特に蒸気濃度に強く依存することを示した。この化学感受性ナノ複合材料を用い初めて得られたこれらの結果は,回路モデル生成や,カーボンブラック複合材料を用いた低ノイズ化学センサ設計を支援する。加えて,最も薄いセンサでは,十分高いバイアス電流下,特定周波数以上で,知る限りで以前に認めたことの無い予期せぬ残留1/fγ(γ約2.2)過剰ノイズによる1/fノイズの不活性化を認めた。興味深いことに,この観察結果は,複合高分子抵抗器における1/fノイズと測定1/fγ過剰ノイズ両方の起源に対する見解を提供した。最後に,化学環境でのノイズ変動の特性化に用いられる所与吸着過程で利用可能なトラップ当りのノイズエネルギーを推定した。本研究が,より良好なSPICE(電子回路のアナログ動作シミュレーションソフトウェア)モデルの構成を可能にし,先進的CMOS(相補型金属酸化膜半導体)変換回路設計を支援すると考えている。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
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分析機器  ,  雑音測定  ,  炭素とその化合物 

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