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J-GLOBAL ID：201202270991381907   整理番号：12A1228327

ポリ(3-ヘキシルチオフェン)/ポリ(アクリル酸ステアリル)半結晶性ブレンドナノワイヤのモルフォロジーと電界効果トランジスタ特性

Morphology and field-effect transistor characteristics of semicrystalline poly(3-hexylthiophene) and poly(stearyl acrylate) blend nanowires

著者 (7件)： LIN Jung-Chuan (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  LEE Wen-Ya (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  WU Hung-Chin (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  CHOU Chih-Chieh (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  CHIU Yu-Cheng (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  SUN Ya-Sen (National Central Univ., Taoyuan, TWN) ,  CHEN Wen-Chang (National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名： Journal of Materials Chemistry  (Journal of Materials Chemistry)
巻： 22  号： 29  ページ： 14682-14690  発行年： 2012年08月07日 
JST資料番号： W0204A  ISSN： 0959-9428  CODEN： JMACEP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶解性が悪いポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)の高分子ブレンドでOFET用有機半導体に便利なナノワイヤ材料とした。混合はポリ(アクリル酸ステアリル)(PSA)やPMMAと種々の溶媒に各種濃度で溶解して組織的に検討した。ジクロロメタン溶液から製したP3HT-PSA高分子膜にはP3HTがPMMAとのものより太い平均30nm径のナノワイヤが入っている。PSAは結晶性で共役しないが,2wt%しかP3HTが入らなくてもこの膜によるFETは正孔移動度が3.2×10^-3cm²V^-1s^-1と高い。10wt%入るとオンオフ比が10⁵で移動度7.86×10^-3cm²V^-1s^-1と最高になり,P3HTのみやPMMAブレンドより高い。P3HT-PSAの素子はパーコレーション閾値も空気中の安定性も他の素子より高い。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  有機半導体 ,  *高分子膜 ,  *ポリヘキシルチオフェン ,  *重合体 ,  *溶液成長 ,  ポリマブレンド ,  ナノワイヤ ,  結晶度 ,  キャリア移動度 ,  比率 ,  パーコレーション ,  安定性 ,  モルフォロジー ,  脂肪族塩素化合物
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  *ポリ(3-ヘキシルチオフェン) ,  結晶性 ,  正孔移動度 ,  *OFET

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

物質索引 (2件)： アクリル酸ステアリル ,  ジクロロメタン

タイトルに関連する用語 (5件)： 3-ヘキシルチオフェン ,  アクリル酸ステアリル ,  半結晶性 ,  モルフォロジー ,  電界効果トランジスタ