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J-GLOBAL ID：201202271150764492   整理番号：12A0136944

ZnOナノワイヤ持つ結晶Si光起電装置

Crystalline-Si photovoltaic devices with ZnO nanowires

著者 (7件)： HSUEH Ting-jen (National Nano Devices Laboratories, Tainan 741, Taiwan, R.O.C) ,  LIN Siou-yi (Dep. of Electronic Engineering National Univ. of Tainan, Tainan 700, Taiwan, R.O.C) ,  WENG Wen-yin (Inst. of Microelectronics and Dep. of Electrical Engineering, National Cheng Kung Univ., Tainan 701, Taiwan, R.O.C) ,  HSU Cheng-liang (Dep. of Electronic Engineering National Univ. of Tainan, Tainan 700, Taiwan, R.O.C) ,  TSAI Tsung-ying (Inst. of Microelectronics and Dep. of Electrical Engineering, National Cheng Kung Univ., Tainan 701, Taiwan, R.O.C) ,  DAI Bau-tong (National Nano Devices Laboratories, Tainan 741, Taiwan, R.O.C) ,  SHIEH Jia-min (National Nano Devices Laboratories, Tainan 741, Taiwan, R.O.C)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 98  ページ： 494-498  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水熱法を介した酸化亜鉛(ZnO)/テクスチャ化結晶Si(c-Si)光起電装置におけるZnOナノワイヤ(NWs)成長が調査された。ZnO NWsの平均の長さと直径は,其々およそ0.65μmと70-100nmである。実験結果は,ZnO NWsがあるZnO/テクスチャ化c-Si光起電装置が,とりわけ紫外(UV)と緑光(350nm~590nm)範囲において,試験された基板の中で最も低い反射率を有するのを示している。SiN_x/テクスチャ化c-SiとZnO/テクスチャ化c-Si光起電装置と比較して,提案された装置は,其々,およそ7%と6.3%の電力変換効率の向上を示している。カプセル封入後,ZnO NWs/ZnO/テクスチャ化c-Si光起電装置は,変換効率において最低の低下であった。その上,小さいNW直径は光吸収を増加させる。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *テクスチャ処理 ,  *酸化亜鉛 ,  水熱合成 ,  *ナノワイヤ ,  光吸収 ,  反射率 ,  効率
準シソーラス用語： 水熱法 ,  結晶シリコン太陽電池 ,  *電力変換効率

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (2件)： ZnOナノワイヤ ,  結晶Si