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J-GLOBAL ID：201202271178558235   整理番号：12A1429772

弾道領域動作様CNT-FETにおける電子流輸送

Electronic current transport in CNT-FETs for operation in ballistic region

著者 (4件)： SRIVASTAVA Ashok (Louisiana State Univ., LA, USA) ,  XU Yao (Louisiana State Univ., LA, USA) ,  SHARMA Ashwani K. (Kirtland AFB, NM, USA) ,  MAYBERRY Clay (Kirtland AFB, NM, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8344  ページ： 83440O.1-83440O.10  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カーボンナノチューブは優れた分子吸着特性を有し,その大きさはDNAのような典型的生体分子と同等である。カーボンナノチューブやCNT-FETに吸着した分子はCNTコンダクタンスやCNT-FETの電子特性を変化させ,それらは容易にモニターすることができる。CNT-FETの電流輸送用コンパクトモデルはEDAツールに適合するが,これらは非弾道領域に限定されている。CNT-FETの電流輸送モデルを弾道領域動作様に修正した。CNT-FETの表面ポテンシャルを電流輸送方程式と結んで弾道領域における電子電流輸送モデルを得た。p型CNT-FETの解析で求めたI-V特性を実験および他の解析モデルと比較すると良く一致している。飽和領域での若干の違いはドレインソース電圧増加時のフォノン散乱によるものである。CNTの価電子帯における2サブバンドが,CNT-FETの電流計算のためには充分であることを示した。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *カーボンナノチューブ ,  バリスティック輸送 ,  弾道電子 ,  プラズマ流 ,  *吸着 ,  分子 ,  表面電位 ,  輸送現象 ,  電流電圧特性 ,  散乱 ,  DNA【核酸】 ,  素子構造
準シソーラス用語： カーボンナノチューブFET ,  フォノン散乱 ,  生体分子 ,  弾道輸送 ,  電子流 ,  電流輸送 ,  表面ポテンシャル ,  分子吸着 ,  輸送方程式

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 弾道 ,  電子流 ,  輸送