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J-GLOBAL ID：201202271398984170   整理番号：12A0895431

AlGaN/GaN光電極におけるCO₂還元可能性の増強

Enhanced CO₂ reduction capability in an AlGaN/GaN photoelectrode

著者 (7件)： YOTSUHASHI Satoshi (Advanced Technol. Res. Lab., Panasonic Corp., Soraku-gun, Kyoto 619-0237, JPN) ,  DEGUCHI Masahiro (Advanced Technol. Res. Lab., Panasonic Corp., Soraku-gun, Kyoto 619-0237, JPN) ,  HASHIBA Hiroshi (Advanced Technol. Res. Lab., Panasonic Corp., Soraku-gun, Kyoto 619-0237, JPN) ,  ZENITANI Yuji (Advanced Technol. Res. Lab., Panasonic Corp., Soraku-gun, Kyoto 619-0237, JPN) ,  HINOGAMI Reiko (Advanced Technol. Res. Lab., Panasonic Corp., Soraku-gun, Kyoto 619-0237, JPN) ,  YAMADA Yuka (Advanced Technol. Res. Lab., Panasonic Corp., Soraku-gun, Kyoto 619-0237, JPN) ,  OHKAWA Kazuhiro (Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Sci., Shinjuku, Tokyo 162-8601, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 24  ページ： 243904-243904-3  発行年： 2012年06月11日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ガリウム光電極の光照射は水の酸化反応とCO₂還元反応を駆動する電子正孔対を分離する。本論文では,非意図的にドープした(uid-)AlGaN光吸収層とn⁺-GaN電気伝導層からなるAlGaN/GaN素子の光電流増強を示した。uid-AlGaN/n⁺-GaN光電極におけるCO₂変換による蟻酸の生成率はuid-GaN/n⁺-GaN素子のそれの約二倍であった。この向上は分極効果により発生したuid-AlGaN層の内部バイアスの効果に起因すると思われる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  *光電極 ,  二酸化炭素 ,  酸化還元反応 ,  *光電流 ,  *半導体材料 ,  化合物半導体 ,  電子正孔対

分類 (1件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaN ,  GaN ,  光電極 ,  CO2 ,  還元可能性 ,  増強