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J-GLOBAL ID:201202271513795751   整理番号:12A0747377

c-Si PVモジュールの直列抵抗測定と一層の特徴付け

Series resistance determination and further characterization of c-Si PV modules
著者 (4件):
資料名:
巻: 46  ページ: 72-80  発行年: 2012年10月 
JST資料番号: A0124C  ISSN: 0960-1481  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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この論文は個別に照射されたI-V曲線から結晶ーSi PVモジュールの直列抵抗測定のための新しいアルゴリズムを提示する。その後,理想係数と逆飽和電流が古典的な方法で抜粋される。2つのタイプのmc-Si供給原料に基づくモジュールからのin situ測定されたデータに,本アプローチは適用された。結果は,方法が物理的に意義あるパラメータをもたらすのを示している。局部理想係数の向上した定義が提案され,直列抵抗により影響を受けないm-Vプロットをもたらしている。さらに初めて,m-Iプロットが導入された。目新しい微分技術は,開放回路で理想係数に約5%の予期せぬ上昇を明らかにしている。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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太陽光発電 
タイトルに関連する用語 (3件):
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