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J-GLOBAL ID：201202271515005685   整理番号：12A0541548

スパークプラズマ焼結したMgB₂バルクへのTeまたはTeO₂添加による臨界電流密度と不可逆磁場の増加

Enhancement of critical current density and irreversibility field by Te or TeO₂ addition to MgB₂ bulk processed by spark plasma sintering

著者 (4件)： ALDICA G. (National Inst. of Materials Physics, Str. Atomistilor 105 bis, Magurele, ROM) ,  POPA S. (National Inst. of Materials Physics, Str. Atomistilor 105 bis, Magurele, ROM) ,  ENCULESCU M. (National Inst. of Materials Physics, Str. Atomistilor 105 bis, Magurele, ROM) ,  BADICA P. (National Inst. of Materials Physics, Str. Atomistilor 105 bis, Magurele, ROM)
資料名： Scripta Materialia  (Scripta Materialia)
巻： 66  号： 8  ページ： 570-573  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： B0915A  ISSN： 1359-6462  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MgB₂((MgB₂)+(A)_x),x=0.005,0.01,0.03,A=添加物)にTe金属またはTeO₂を添加した。混合物をスパークプラズマ焼結法で作製した。Te/TeO₂添加剤を含む試料の臨界電流密度J_cは高磁場と20Kまでの温度において高まった。最適x_Te=0.01の試料に対するJ_c(5K,H)曲線は8T(J_c(5K,8T)=1.8×10³Acm^-2)までは加速した低下を示さなかった。Te/TeO₂添加剤を含む試料の不可逆磁場もまた高まった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *放電焼結 ,  *ホウ化物 ,  *マグネシウム化合物 ,  テルル ,  酸化テルル ,  *磁場 ,  プラズマ応用 ,  セラミック添加剤 ,  *臨界電流密度 ,  不可逆性 ,  機能性セラミック ,  超伝導材料 ,  *超伝導体 ,  *エレクトロセラミック ,  焼結体 ,  *放電プラズマ焼結
準シソーラス用語： *スパークプラズマ焼結 ,  *セラミック超伝導体 ,  *ホウ化マグネシウム ,  導電セラミック ,  *不可逆磁場 ,  超伝導臨界電流密度

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  その他の超伝導体の物性  (BM04025Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： スパークプラズマ焼結 ,  MgB2 ,  バルク ,  Te ,  臨界電流密度 ,  不可逆磁場