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J-GLOBAL ID：201202271536816233   整理番号：12A0233370

太陽電池応用のGaAsSb/GaAs(001)面への平面内InAs量子ドット超格子の積層成長

Stacking Growth of In-Plane InAs Quantum-Dot Superlattices on GaAsSb/GaAs(001) for Solar Cell Applications

著者 (3件)： INAJI Toshihiko (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  OHTA Jun (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  YAMAGUCHI Koichi (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
資料名： Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference  (Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference)
巻： 35th Vol.3  ページ： 1885-1888  発行年： 2010年 
JST資料番号： E0756A  ISSN： 0160-8371  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 中間バンド太陽電池(IB-SCs)応用のために,自己組織化半導体量子ドット(QDs)はかなり注目されている。半導体QDsを使用して,IB-SCsを開発するためには,高い結晶性を持った高密度および高一様性QD層を緻密に積層しなければならない。本研究では,平面内QD超格子を形成するために,Stranski-Krastanov(SK)モードを使用した固体ソース分子線エピタクシー(MBE)によってGaAS(001)基板上にSbを介した超高密度自己組織化InAs量子ドット(QD)を成長した。4×10¹¹cm^-2の高密度を実現した。さらに,面内QD超格子の積層成長を発表する。そしてこれらの積層QDを使用したIB-SCsについて議論する。

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *太陽電池 ,  ヒ化ガリウム ,  半導体材料 ,  ヒ化物 ,  ガリウム化合物 ,  アンチモン化物 ,  量子ドット ,  *超格子 ,  積層構造 ,  薄膜成長 ,  自己組織化

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 太陽電池 ,  応用 ,  GaAsSb ,  GaAs ,  InAs量子ドット ,  超格子 ,  成長